电视机作业[精选].docVIP

1.主要零部件 主要零部件：主要有背光模组、彩色滤光片、玻璃基板集成电路、显示屏、电源模块和电源适配器 主要由镜片、导光板、光源（包括阴极管、发光二极体等）、扩散膜、反射膜及外框架等件组装而成。 彩色滤光片：彩色感光胶材料玻璃基板无碱硅酸铝玻璃（Alumino Silicate Glass，主成分为SiO2、Al2O3、B2O3及BaO等电源适配器 一般由外壳、电源变压器和整流电路组成 玻璃基板浮式法：为目前最著名的平板玻璃制造技术，该法系将熔炉中熔融之玻璃膏输送至液态锡床，因黏度较低，可利用档板或拉杆来控制玻璃的厚度，随着流过锡床距离的增加，玻璃膏便渐渐的固化成平板玻璃，再利用导轮将固化后的玻璃平板引出，再经退火、切割等后段加工程序而成。 　　以浮式法生产超薄平板玻璃时应控制较低之玻璃膏进料量，先将进入锡床的玻璃带（Ribbon）冷却至700左右，此时玻璃带的黏度约为108泊（Poise；1泊= 1g/cm·sec ），再利用边缘滚轮拉住浮于液态锡上的玻璃膏，并向外展拉后，再将玻璃带加热到850，配合输送带滚轮施加外力拉引而成，以浮式法技术拉制超薄平板玻璃如图三所示。 浮式法技术系采用水平引出的方式，因此比较容易利用拉长水平方向的生产线来达到退火的要求。浮式法技术未能广泛应用于生产厚度小于2 m m超薄平板玻璃之主要原因乃系其无法达到所要求的经济规模。举例来说，浮式法技术的一日产量几乎可以满足目前台湾市场之月消耗量；如果用浮式法技术生产超薄平板玻璃，一般多系以非连续式槽窑（DayTank）生产，因此该槽窑设计之最适化就显得相当重要。 颜料分散法之彩色层形成类似半导体的黄光微影制程，首先将颜料分散型彩色光阻涂布于已形成黑色矩阵的玻璃基板上，经软烤（Pre-bake），曝光对准（Aligned），显影（Developed），光阻剥离（Stripping），硬烤（Post-bake）重复此流程三次形成R,G,B 之三色图形 （Pattern）。 颜料分散法之彩色滤光片之制造流程如下。 集成电路的加工工艺，集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。　　膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，平面工艺技术也随之得到发展。例如，扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺；紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术，如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等；外延生长又采用超高真空分子束外延技术；采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜；互连细线除采用铝或金以外，还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。 整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。　　薄膜集成电路中的晶体管采用薄膜工艺制作, 它的材料结构有两种形式：薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管，还可采用碲、铟、砷、氧化镍等材料制作晶体管；薄膜热电子放大器。薄膜晶体管的可靠性差，无法与硅平面工艺制作的晶体管相比，因而完全由薄膜构成的电路尚无普遍的实用价值。　　实际应用的薄膜集成电路均采用混合工艺，也就是用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式组装成一块完整电路。 用丝网印刷工艺将电阻、介质和导体涂料淀积在氧化铝、氧化铍陶瓷或碳化硅衬底上。淀积过程是使用一细目丝网，制作各种膜的图案。这种图案用照相方法制成，凡是不淀积涂料的地方，均用乳胶阻住网孔。氧化铝基片经过清洗后印刷导电涂料，制成内连接线、电阻终端焊接区、芯片粘附区、电容器的底电极和导体膜。制件经干燥后，在750～950间的温度焙烧成形，挥发掉胶合剂，烧结导体材料，随后用印刷和烧成工艺制出电阻、电容、跨接、绝缘体和色封层。有源器件用低共熔焊、再流焊、低熔点凸点倒装焊或梁式引线等工艺制作，然后装在烧好的基片上，焊上引线便制成厚膜电路。厚膜电路的膜层厚度一般为 7～40微米。用厚膜工艺制备多层布线的工艺比较方便，多层工艺相容性好，可以大大提高二次集成的组