多晶硅研究系列2多晶硅生產成本的构成与控制.docVIP

多晶硅研究系列2：多晶硅生产成本的构成与控制通过对多晶硅主要生产工艺（TCS改良西门子法、硅烷流化床法和冶金法）的比较我们发现： 1.基于TCS的改良西门子法仍是多晶硅生产最主要的方法 改良西门子法目前为全世界提供了85%以上的太阳能级多晶硅；截至2011年底，全球TOP4多晶硅供应商（保利协鑫、德国Wacker、美国Hemlock、韩国OCI）的18.165万吨产能中有18.1万吨是TCS改良西门子法，占比超过99.6%。 2.TCS改良西门子法仍是综合成本最低的多晶硅生产方法 由挪威REC(REC.OL)主导的硅烷流化床法尽管能耗更低，但在考虑折旧后的综合成本上并无优势（4Q11，REC硅烷流化床法多晶硅的综合成本是$26/kg，同期，保利协鑫的综合成本是$19.3/kg），而且这个局面似乎在未来一段时间仍将保持（REC预计今年Q4将降至$23/kg，这个数值仍高于保利协鑫去年底实现的$18.6/kg）。 接下来，我们以改良西门子法为对象，研究太阳能级多晶硅生产成本的构成和控制。 一、多晶硅生产成本的构成 以成本领先的$保利协鑫能源(03800)$为例，我们考察一下太阳能级多晶硅综合成本的构成情况。 （3Q11保利协鑫多晶硅综合成本的构成情况，来源：国泰君安国际评级报告） 如上图所示，电力成本、TCS（三氯氢硅）成本和折旧是多晶硅生产中最大的三项独立成本，分别占到总成本的32%、21%、16%；排在其后的是蒸汽成本和人力成本，占比降低到7%和6%；其他成本主要包括气体成本（如氢气、氯气）、用水成本、设备维护和保养成本等，占比达到18%。 不难看出，在产业层面上，降低多晶硅综合成本的关键是控制电力成本、TCS成本和折旧成本。 二、多晶硅生产的成本控制和新工艺 1.电力成本的控制 多晶硅生产最主要的成本是电力成本。要降低电力成本，办法无外乎两个：减少综合电耗和寻找便宜的电。 (1)寻找便宜的电 所以，我们看到许多企业把多晶硅产能建在了电力成本相对低廉的地区——水电丰富的西南地区和电力富余、电价很低的新疆地区，如下游产能位于浙江嘉善的$昱辉阳光(SOL)$选择了在四川眉山建设多晶硅产能，一期工程位于重庆万州（利用当地水电资源）的$大全新能源(DQ)$把二期工程放在了电力成本更低的新疆石河子（用电成本约为0.3元/度，而产能位于江苏徐州的保利协鑫电价成本在0.65元/度之上）；而A股$特变电工(SH600089)$旗下的新疆硅业和$航天机电(SH600151)$旗下的神舟硅业则分别选址新疆乌鲁木齐和内蒙古呼和浩特。另外，也有一些产能位于中部地区的多晶硅企业是通过寻求当地政府支持的办法，来获得优惠电价以降低电力成本。 (2)减少综合电耗 关键是要减少还原电耗，因为将高纯TCS在CVD炉中还原为太阳能级多晶硅是整个生产过程中电耗最高的环节，还原电耗一般会占到总电耗的50%-60%。保利协鑫在4Q11财报会议上表示，“最新还原炉电耗可低至每公斤40千瓦时，综合电耗可低至每公斤65千瓦时”，还原电耗占总电耗的62%；国内另一家多晶硅主要供应商目前的综合电耗为100度，还原电耗占到55%-58%。 （CVD还原炉示意图，来源：瓦克化学《FIFTYYEARSOFWACKERPOLYSILICON》） 如上图所示，高纯TCS气体被氢气还原成高纯多晶硅的反应是发生在电加热至1000～1100的预制硅棒表面（气相沉积），为防止还原炉内表面发生气相沉积，也为维持炉体的机械强度，整个炉体的内表面需要用冷却液进行冷却。而电加热高温硅棒与炉体内表面之间的巨大温差使得大量的热能通过冷却表面损失掉，还原过程中需要对硅棒进行持续加热，这正是还原电耗很高的主要原因。 CVD还原炉生产是一个非连续过程，要降低多晶硅的单位电耗就要提高还原炉的单炉产能和缩短单炉生产周期。现实情况中，提高单炉产能比缩短生产周期更为可行，目前的收效也更为明显。 全球CVD还原炉主要供应商$GTAdvanced(GTAT)$（原GT Solar）的研究表明，增加预制硅棒数量和提高还原炉运行压力是提高单炉产能的有效办法。 如下图所示，单台还原炉的产能随着硅棒数量的增加而增加；相同条件下，常压还原炉（1bar，1个大气压）的产能只有加压还原炉（6bar）的三分之一。 （CVD还原炉单炉产能与硅棒数量、反应压力的关系，来源：GTAT研究报告） 正是如此，我们看到CVD还原炉的硅棒数量在持续增加，从之前的10对棒、12对棒、18对棒、24对棒发展到目前的36对棒、48对棒，Poly Plant Project公司(PPP)去年还推出了54对棒的还原炉。 当然，需要明确的是，也不是硅棒数量越多越牛B。当硅棒数量（包括还原炉尺寸）大到一定程度后，继续增加带来的节能效益变得微乎其微（如下图所示