“集成电路与器件物理、半导体物理”802.docVIP

“集成电路与器件物理、半导体物理半导体物理半导体器件物理半导体物理要求学生的相关基础理论，重点的器件物理要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性；MESFET器件的基本工作原理；MOSFET器件的频率特性；MOSFET器件中的非理想效应；MOSFET器件按比例缩小理论；阈值电压的影响因素；MOSFET的击穿特性；掌握器件特性的基本分析方法。要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律重点半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识半导体物理。 （一）基本概念和 1.复习内容 数字集成电路设计中的基本概念和 2.具体要求 设计约束 时钟设计 电源网络 设计质量评定标准 集成电路成本构成 电压传输特性 噪声容限 再生性 扇入扇出 传播延迟 功耗、能耗 设计规则 标准单元 工艺偏差 工艺尺寸缩小 封装 （二） 1.复习内容 定性了解二极管、MOS晶体管，理解其工作原理，静态特性、动态特性；掌握SPICE模型和手工分析模型。 2.具体要求 二极管结构 二极管静态特性 二极管动态特性 二极管手工分析模型 二极管SPICE模型 MOS晶体管结构 MOS晶体管工作区