多晶硅及高纯硅-吉林省专利信息服务网.doc

多晶硅及高纯硅 REC 申请号=CN200520114868.0 名称=一种采用成熟工艺制作的新型硅微电容传声器芯片 申请（专利权）人=中国科学院声学研究所 发明（设计）人=乔东海;胡维;田静;徐联;汪承灏 申请日=2005.07.26 地址=100080北京市海淀区北四环西路21号 摘要=本实用新型公开了一种采用成熟工艺制作的新 型硅微电容传声器芯片。该硅微电容传声器芯片包括多晶硅振 动膜、保护层、隔离层、空气间隙、硅基片及其上的穿孔背板， 该穿孔背板包括一掺杂层且具有由多个声学孔，该声学孔是刻 蚀一连续的掺杂层形成。该硅微电容传声器芯片的制备方法包 括：在所述硅基片的上表面形成一连续的掺杂层，该掺杂层形 成硅微电容传声器芯片的至少一部分穿孔背板，从该连续的掺 杂层的上表面向下刻蚀出由多个声学孔组成的声学孔图案。本 实用新型采用多晶硅作为振动膜，制作工艺与平面半导体工艺 完全兼容；还克服了深度选择性浓硼扩散制作背板及背板穿孔 所带来的问题和困难，为工业化生产传声器芯片提供一套简便 易行的工艺。 REC 申请号=CN200510062883.X 名称=降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法 申请（专利权）人=联华电子股份有限公司 发明（设计）人=王俞仁;颜英伟;郑力源;詹书俨;黄国泰 申请日=2005.04.05 地址=台湾省新竹科学工业园区 摘要=一种制作多晶硅栅极晶体管的方法，首先提供一 基底；在该基底表面上形成栅极介电层；在该栅极介电层上沉 积多晶硅层；将非晶硅化物种注入该多晶硅层中，藉此将该多 晶硅层的上部非晶硅化；进行离子掺杂，将离子注入该多晶硅 层中；对该多晶硅层进行退火，同时活化注入该多晶硅层中的 该离子；将该多晶硅层蚀刻成栅极结构；在该栅极结构两侧的 该基底中形成漏极/源极。 REC 申请号=C名称=反向工作的晶体管偶合逻辑 申请（专利权）人=张崇玖 发明（设计）人=张崇玖 申请日=1987.09.10 地址=江苏省南通市易家桥新村20号楼305室 摘要=反向工作的晶体管偶合逻辑电路，采用多晶肖特 基或多晶二极管输入和多晶硅电阻或漏栅共接的多 晶硅MOS，栅接地的多晶硅MOS作为负载，制作上 采用等平面V形槽，垂直槽和空气隔离工艺，广泛采 用自对准工艺，减少扩散和套刻次数，使晶体管管芯 面积，结面结、结电容、Rbb，RC时间常数很小，以提 高电路的速度和集成密度，同时提高了管子和电路的 成品率。 REC 申请号=C8 名称=多晶硅层的处理方法 申请（专利权）人=上海宏力半导体制造有限公司 发明（设计）人=金平中;蔡孟锦 申请日=2003.08.27 地址=201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 摘要=本发明提供一种多晶硅层处理方法，用以增加形 成氧化层的平坦度，包含提供一半导体结构，在该半导体结构 上形成一多晶硅层，通过化学机械研磨方式处理多晶硅层，并 在多晶硅层上形成一氧化层。 REC 申请号=C2 名称=半导体存储器电路的电容器的制造方法 申请（专利权）人=世界先进积体电路股份有限公司 发明（设计）人=曾鸿辉 申请日=2000.10.24 地址=台湾省新竹科学工业园区 摘要=一种堆叠式电容器的制造方法。形成字线和转 移栅晶体管后,沉积第一介电层、薄的氮化硅与第二介电层。 蚀刻以形成存储单元接触窗。沉积第一多晶硅,在接触窗内形 成第一多晶硅插塞物。去除第二介电层以露出一部分第一多 晶硅插塞物。形成第二多晶硅和第三介电层,对第三介电层回 蚀刻以形成第三介电层侧壁间隔物。形成第三多晶硅,回蚀刻 第三多晶硅和第二多晶硅,以形成第三多晶硅侧壁间隔物与 第二多晶硅侧壁间隔物。去除第三介电层侧壁间隔物,剩余的 第一多晶硅插塞物、第二多晶硅侧壁间隔物与第三多 晶硅侧壁间隔物构成了电容器的电荷储存电极。 REC 申请号=C0 名称=一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺 申请（专利权）人=北京大学 发明（设计）人=肖志雄;郝一龙;张国炳;李婷;张大成;刘诗美;李志宏;陈文茹;武国英;王阳元 申请日=1998.07.03 地址=100871北京市海淀区中关村北京大学 摘要=本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的 工艺。通常采用的表面牺牲层工艺,在腐蚀后的清洗干燥过程中, 多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶 硅结构制备的过程中,同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱 并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩膜,或两次都利用 光刻胶作为掩膜,腐蚀牺牲层,干法刻出多晶硅结构,并同时把多 晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计,彻底克服了粘附效应, 适合于批量生产。 REC 申请号=CN0181