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电池线测试题库 题型：填空题100道，判断题50道，问答题30道，案例分析10道 填空题 清洗制绒的目的是为了在硅片上获得表面绒面结构，这种结构对提高晶体硅对光的吸收率有着重要作用。 对于单晶硅，采用碱溶液的各向异性腐蚀，其化学方程式为：2KOH+Si+H2O→K2SiO3+2H2； 多晶硅采用酸溶液的各向同异性腐蚀，其化学反应方程式：Si+4HNO3→SiO2+4NO2+2H2O，SiO2+4HF→SiF4+2H2O和SiF4+2HF→H2[SiF6]。 扩散工艺是在硅片的一面通过扩散磷来形成P-N结，采用POCL3作为扩散源，提供磷原子。 为了将扩散所得的硅片制成P-N结，需把四周的N型层去掉。背面的N型层可以用补偿法消除。用丝网印刷铝浆，然后烧结可以使N型层返回到P型层。 去硅片周边用激光刻蚀的方法和等离子体刻蚀法，我车间采用激光刻蚀的方法去除周边。 激光切割去周边时，必须把激光束照在背电极上，必须控制好激光的强度和运行速度，才能做到对电池片的P-N结无影响。 PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，他们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。