4.5.1PLD的结构.ppt

* 4.5 组合可编程逻辑器件 4.5.1 PLD的结构、表示方法及分类 4.5.2 组合逻辑电路的PLD实现 4.5 组合可编程逻辑器件 可编程逻辑器件是一种可以由用户定义和设置 逻辑功能的器件。该类器件具有逻辑功能实现 灵活、集成度高、处理速度快和可靠性高等特点。 4.5.1 PLD的结构、表示方法及分类 与门 阵列 或门 阵列 乘积项 和项 PLD主体 输入 电路 输入信号 互补 输入 输出 电路 输出函数 反馈输入信号 可由或阵列直接输出，构成组合输出； 通过寄存器输出，构成时序方式输出。 1、PLD的基本结构 与门 阵列 或门 阵列 乘积项 和项 互补 输入 2. PLD的逻辑符号表示方法 (1) 连接的方式 (2)基本门电路的表示方式 F1=A?B?C 与门 或门 A B C D F1 A B C L A B C ≥1 L D F1=A+B+C+D 三态输出缓冲器 输出恒等于0的与门 输出为1的与门 输入缓冲器 (3) 编程连接技术 PLD表示的与门 熔丝工艺的与门原理图 V CC + (5V) R 3k W L D 1 D 2 D 3 A B C 高电平 A、B、C有一个输入低电平0V A、B、C三个都输入高电平+5V 5V 0V 5V 低电平 L V CC A B C D 5V 5V 5V L=A?B?C 连接 连接 连接 断开 A、B、C 中有一个为0 A、B、C 都为1 输出为0； 输出为1。 L=AC 断开 连接 连接 断开 L=ABC X X 器件的开关状态不同, 电路实现逻辑函数也就不同 1 0 1 1 1 1 (4) 浮栅MOS管开关 用不同的浮栅MOS管连接的PLD，编程信息的擦除方法也不同。SIMOS管连接的PLD，采用紫外光照射擦除；Flotox MOS管和快闪叠栅MOS管，采用电擦除方法。 浮栅MOS管 叠栅注入MOS(SIMOS)管 浮栅隧道氧化层MOS(Flotox MOS)管 快闪(Flash)叠栅MOS管 当浮栅上带有负电荷时，使得MOS管的开启电压变高，如果给控制栅加上VT1控制电压，MOS管仍处于截止状态。 若要擦除，可用紫外线或X射线，距管子2厘米处照射15-20分钟。 当浮栅上没有电荷时，给控制栅加上大于VT1的控制电压 ，MOS管导通。 a.叠栅注入MOS(SIMOS)管 25V 25V GND 5V 5V GND i D V T1 V T2 v GS 浮栅无电子 O 编程前 i D V T1 V T2 v GS 浮栅无电子 浮栅有电子 O 编程前 编程后 5V 5V GND 5V 5V GND 导通 截止 L=B?C 连接 连接 断开 断开 连接 连接 断开 断开 1 1 1 1 浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A (埃)的薄绝缘层——遂道区。 当遂道区的电场强度大到一定程度，使漏区与浮栅间出现导电遂道，形成电流将浮栅电荷泄放掉。 遂道MOS管是用电擦除的，擦除速度快。 b.浮栅隧道氧化层MOS(Flotox MOS)管 结构特点: 1.闪速存储器存储单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区，而SIMOS管的源极N+区和漏极N+区是对称的； 2. 浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。 c.快闪叠栅MOS管开关 （Flash Memory) （自学） 特点：结构简单、集成度高、 编程可靠、擦除快捷。 3.PLD的分类 PROM PLA PAL GAL 低密度可编程逻辑器件 （LDPLD） EPLD CPLD FPGA 高密度可编程逻辑器件 （HDPLD） 可编程逻辑器件 （PLD） 按集成密度划分为 2、按结构特点划分 简单PLD (PAL，GAL) 复杂的可编程器件(CPLD) : CPLD的代表芯片如：Altera的MAX系列 现场可编程门阵列(FPGA)