(西安交通大学16年9月课程考试数字电子技术高起专作业考核试题.docVIP

一、单选题（共 30 道试题，共 60 分。）V 1. 三极管开关电路中，影响开关速度的主要因素是（ ）。 A. td B. tr C. ts D. tf 满分：2 分 2. TTL与非门输出低电平的参数规范值是（ ）。 A. ≤0.3V B. ≥0.3V C. ≤0.4V D. =0.8V 满分：2 分 3. (95)H表示（ ）。 A. 二进制数 B. 十进制数 C. 八进制数 D. 十六进制数 满分：2 分 4. 以下可编程逻辑器件中，集成密度最高的是（ ）。 A. PAL B. GAL C. HDPLD D. FPGA 满分：2 分 5. 若将输入脉冲信号延迟一段时间后输出，应用（ ）电路。 A. 施密特触发器 B. 单稳态触发器 C. 多谐振荡器 D. 集成定时器 满分：2 分 6. 标准TTL门开门电平之值为（ ）。 A. 0.3V B. 0.7V C. 1.4V D. 2V 满分：2 分 7. 2007个连续异或的结果是（ ）。 A. 0 B. 1 C. 不唯一 D. 逻辑概念错误 满分：2 分 8. 小容量RAM内部存储矩阵的字数与外部地址线数n的关系一般为（ ）。 A. 2n B. 22n C. 22n D. 2n 满分：2 分 9. 数字电路中使用的是（ ）。 A. 二进制 B. 八进制 C. 十进制 D. 十六进制 满分：2 分 10. 555构成的多谐振荡器中，还可通过改变（ ）端电压值使振荡周期改变。 A. VCC B. RD C. C-U D. GND 满分：2 分 11. 842BCD码0000表示的十进制数是（ ）。 A. 131 B. 103 C. 87 D. 13 满分：2 分 12. 不属于CMOS逻辑电路优点的提法是（ ）。 A. 输出高低电平理想 B. 电源适用范围宽 C. 抗干扰能力强 D. 电流驱动能力强 满分：2 分 13. n位DAC最大的输出电压uOmax为（ ）UD。 A. (2n – 1) B. 2n C. 2n+1 D. (2n + 1) E. (2n + 1) 满分：2 分 14. 门电路输入端对地所接电阻R≥RON时，相当于此端（ ）。 A. 接逻辑“1” B. 接逻辑“0” C. 接0.4V电压 D. 逻辑不定 满分：2 分 15. 改变（ ）之值不会影响555构成单稳态触发器的定时时间tw。 A. 电阻R B. 电容C C. C-U端电位 D. 电源VCC 满分：2 分 16. 电源电压VDD为0V的CMOS集成模拟开关可接通幅度为（ ）的信号。 A. －10～0V B. 0～10V C. 0～VDD/2 D. ＞10V 满分：2 分 17. 555构成的多谐振荡器电路中，当R=R2时，欲使输出占空比约为50%，最简单的办法是（ ）。 A. 电容C减半 B. R2两端并接二极管 C. C-U端接地 D. VCC减半 满分：2 分 18. 如果把D触发器的输出 反馈连接到输入D，它输出Q的脉冲波形的频率为CP脉冲频率f的 （ ）。 A. 二倍频 B. 不变 C. 四分频 D. 二分频 满分：2 分 19. 用不同数制的数字来表示2007，位数最少的是（ ）。 A. 二进制 B. 八进制 C. 十进制 D. 十六进制 满分：2 分 20. 两个开关控制一盏灯，只有两个开关都闭合时灯才不亮，则该电路的逻辑关系是（ ）。 A. 与非 B. 或非 C. 同或 D. 异或 满分：2 分 21. 采用浮栅技术的EPROM中存储的数据是（ ）可擦除的。 A. 不 B. 紫外线 C. 电 D. 高压电 满分：2 分 22. 用三态门可以实现“总线”连接，但其“使能”控制端应为（ ）。 A. 固定接0 B. 固定接1 C. 同时使能 D. 分时使能 满分：2 分 23. 十进制数36转换为十六进制数，结果为（ ）。 A. 26 B. 24 C. 22 D. 20 满分：2 分 24. 要扩展成8K×8 RAM，需用用512×4的RAM （ ）片。 A. 8 B. 16 C. 32 D. 64 满分：2 分 25. 555集成定时器构成的单稳态触发器，其暂态时间tW =（ ）。 A. 0.7RC B. RC C. 1.1RC D. 1.4RC 满分：2 分 26. TTL与非门低电平输出电