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§14 半导体元件 本章主要讨论半导体的导电特性，半导体二级管、稳压管、三极管以及光电元件。 14.1 半导体的导电特性 半导体：导电能力介乎于导体和绝缘体之 间的物质。如硅、锗、大多数金属氧化物。 半导体特性：热敏特性、光敏特性、掺杂特性。 一、本征半导体 完全纯净的半导体。 通过特殊工艺，可形成晶体结构。 以四价元素硅为例。 本征激发产生自由电子-空穴对。 加上电压后，由自由电子和空穴的定向运动形成电流。故自由电子和空穴统称为载流子。 二、杂质半导体 参入少量杂质的半导体。 1、P型半导体 以四价元素硅参入三价元素硼为例。 参杂后产生负离子-空穴对。 P形半导体中，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。 加上电压后，主要由空穴的定向运动形成电流。 由于负离子带负电，空穴带正电，故不加电压时，P形半导体是不带电的。 2、N型半导体 以四价元素硅参入五价元素磷为例。 参杂后产生正离子-自由电子对。 N形半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。 加上电压后，主要由自由电子的定向运动形成电流。 由于正离子带正电，自由电子负带电，故不加电压时，N形半导体也不带电。 ▲ 14.2 半导体二极管 一、PN结 P、N型半导体的交界面或交界点。 加正向电压 加反向电压 加正向电压时，多数载流子定向运动，故正向电流很大。 加反向电压时，少数载流子定向运动，故反向电流很小。 即PN结具有单向导电性。 二、半导体二极管 1、结构 PN结加上外壳和电极引线，就构成半导体二极管。 有两种基本结构：点接触型，用于高频小电流； 面接触型，用于低频大电流。 2、图形符号和文字符号 3、单向导电性 4、伏安特性 死区电压：硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。 正向导通电压：硅管0.6～0.7V，锗管0.2～0.3V。 反向击穿电压：随二极管型号不同而异。 5、主要参数 最大整流电流IOM：长期使用时，允许通过的正向电流平均值。 反向工作峰值电压URWM：常取反向击穿电压的一半或三分之二。 反向峰值电流IRM：加反向工作峰值电压时的反向电流。越小越好。 例1 电路和输入电压波形如图。忽略二极管的正向压降，试分别画出uo、uR和uD的波形。 解 uo、uR和uD的波形如图。 ▲ 14.3 稳压二极管 是一种特殊的二极管。可利用其反向特性实现稳压。 一、图形符号和文字符号 二、伏安特性 三、主要参数 1、稳定电压UZ 正常工作时管子两端的反向电压，即反向击穿电压。 2、稳定电流IZ 反向电压为UZ时的反向电流。 3、最大允许耗散功率PZM 不致使管子发生热击穿的最大功耗。 4、最大稳定电流IZM 不致使管子发生热击穿的最大反向电流。 5、电压温度系数αU 反映UZ受温度影响的系数。 例如，2CW18稳压管的温度系数为0.095%,表示温度增加1，UZ升高0.095%。 一般：UZ﹤6V，αU﹤0；UZ﹥6V，αU﹥0；UZ=6V，αU=0。 6、动态电阻rz 反向击穿区，⊿UZ与⊿IZ之比。即 越小，稳压性能越好。 例 有两个稳压管DZ1和DZ2，稳定电压分别为5.5V和8.5V，正向压降均为0.5V。今要分别获得0.5V、3V、6V、9V和14V几种稳定电压，这两个稳压管（还有限流电阻）应如何联结？试画出各个电路。 解 ▲ 14.4 半导体三极管（晶体管） 一、基本结构和图形符号 1、三个区 发射区（E区）、集电区（C区）、基区（B区） 掺杂浓度不同：E区浓，C区次之，B区浓度最低 几何尺寸不同：E、C区厚，B区薄 2、两个结 发射结（E结）、集电结（C结） 3、三个电极 发射极E，集电极C、基极B 二、电流分配和放大原理 1、实验观察 改变RB，可得到不同的IB、IC和IE，如下表： IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/ mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/ mA 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 由上表可得出如下结论： A．电流分配满足基尔霍夫电流定律，即 B．具有电流放大作用 因为IC跟随IB变化，且， C．IB=0时，IC很小 D．具有放大作用的条件是： 发射结正向偏置，集电极反向偏置 2、理论分析 晶体管内部自由电子和空穴的运动规律 A．IE的形成 发射区向基区扩散电子，EC通过发射极提供电子，形成IE。 B．IB的形成 发射区扩散到基区的电子少部分与基区的空穴复合，使EB通过基极向基区提供空穴（拉走电子），形成IB。 C．IC的形成 发射区