IC课件第八章3.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * N＋埋层用于降低集电极串连电阻 考虑到反偏时，势垒区的展宽，各图形之间都留有较宽的距离，因而这种结构的NPN的图形面积比较大 (一)集成电路中的纵向NPN管 (1) PN结隔离的纵向NPN管 §8-4 IC中的元件结构与寄生效应 * (2)混合隔离的纵向NPN管 N＋埋层用于降低集电极串连电阻 * (二)集成电路中的二极管 SiO2 N+ N 外延层 P P+ P+ Al Al SiO2 SiO2 与NPN晶体管基区同时制作 与NPN晶体管发射区同时制作 N型隔离岛 * (三)集成电路中的电阻 利用半导体材料的体电阻 RA RB N N+ N+ N+ 电阻A 电阻B 沟道电阻 与NPN晶体管基区同时制作 二次扩散 * (四)集成电路中的电容 PN结的反偏电容，但这种电容是非线性的，更多采用的是平行板电容 平行板电容 SiO2 S下电极 M上电极 P+ P+ P衬底 N+外延层 N＋ 隔离框 上电极金属膜 N＋扩散区 SiO2层 N＋接触孔 通常这种电容占的面积较大，一个100pF的电容所占芯片面积往往超过100个晶体管占的芯片面积。 * 纵向：四层三结结构：n+ p n p 四层 横向：由版图决定