第四章光的偏振范例.pptVIP

* （2）泡克耳斯效应(Pockels effect) 透明电极加在单轴晶体两端，光沿光轴方向传播，光轴与电场平行，P1⊥P2，不加电场时，无双折射。 泡克耳斯效应实验装置 加电场 → 晶体变双轴晶体 → 原光轴方向附加了双折射效应。 泡克耳斯效应产生的?n正比于外加电场 * 经过长度为l的电场区，泡克耳斯效应产生的附加相位差为 磷酸二氢钾(KH2PO4，简称KDP)、磷酸二氢胺(NH4H2PO4，ADP)等单晶都具有线性电光效应。 ??=?时，P2透光最强，相应的电压成为半波电压 例如KDP晶体对于λ=546nm的绿光， no =1.51，?=10.6?1012 m/V， ??=?时，半波电压V=7600V，这比克尔盒要求的电压低得多。 泡克尔斯效应的开关响应时间也极短，一般小于10-9s，可用作超高速开关，激光调Q，dc-30GHz的光调制器… K*DP(KD2PO4)的半波电压V=3400V * Ti diffused lithium niobate electro-optic (Pockels effect) modulators for use in high-speed optical fiber communications up to 16 GHz. Operates at 1550 nm. Maximum modulation voltage is 20V. * The MPC 4 IM is a compact Pockels cell, available in a variety of versions for wavelengths from 248 nm to 1064 nm. It has a 4-mm aperture and a compact housing that measures 12.7 * 7.2 * 4.2 mm, allowing its use in Q-switches for miniaturized laser systems. It uses an immersion liquid that provides transmission of 98% at 1064 nm. The extinction ratio at 1064 nm with 0.5 voltage is 1:3000. Maximum power is 500 MW/cm2. * Specifications Parameter EM508M, EM510M AND EM512M Aperture: 8mm, 10mm or 12mm Wavelength Range: 0.3 - 1.2μm Halfwave Voltage @ 1.06μm: Approximately 6.0 kV static, 7.2kV dynamic Maximum Voltage: 10kV Optical Rise Time: 1.0 ns Contrast Ratio @ 1.06μm: 1000:1 Capacitance Unterminated: 5 pF Damage Threshold: 600 MW/cm2 Insertion loss with AR coatings: 4% Physical Dimensions: 35mm ?, 42mm long * §4.11 旋光性 旋光性与生命活动密切相关 * 第四章作业2, 3, 8, 10, 12, 13, 15 氨基酸(amino acid) * * * 主截面：光轴和晶体表面光入射点的法线组成的平面。 主平面：晶体中光(o光或e光)的传播方向与晶体光轴构成的平面 e光 光轴 e光的 主平面 o光 光轴 o光的 主平面 · · · · o光的振动方向垂直于o光的主平面；e光的振动方向平行于e光的主平面。当o光和e光的主平面相互平行时,两光的振动互相垂直. 说明：当入射面和主截面重合一致时，e光的偏折依然在入射面内；当入射面和主截面不一致时，则e光射线就可能不在入射面内。o光的偏折总在入射面内。 * 寻常光（o光） (1) 振动面垂直与自己的主平面的线偏振光; (2) 符合折射定律和反射定律; (3) 沿各个方向折射率相同(no) 传播速度相同. 非常光(e光) 振动面平行于自己的主平面的线偏振光; 一般不符合折射定律,在垂直于光轴的方向传播时符合折射定律. 沿不同的方向折射率不同, 传播速度不同.沿光轴的方向折射率和速度为no,与o光相同.沿垂直于光轴的方向的折射率称为ne. no 和ne成为晶体的主折射率。 * §4.6 惠更斯作图法 单轴晶体中的波面 （2）回