固体的能带_结构.pptVIP

则B 原子浓度～1018 cm? 3 np= 1.5×1010 室温下： 本征激发 杂质激发 导带中电子浓度 nn=1.5×1010cm? 3 满带中空穴浓度 设 Si中B的含量为10－4 + 1018 = 1018 cm? 3 空穴是多数载流子， 电子是少数载流子。 空穴浓度np ～ 受主杂质浓度na 在p型半导体中： Si 原子浓度～1022 cm? 3 3. n型化合物半导体 例如，化合物GaAs中掺Te，六价的Te替代五价的As可形成施主能级，成为n型GaAs杂质半导体。 4. p型化合物半导体 例如，化合物 GaAs中掺Zn，二价的Zn替代三价的Ga可形成受主能级，成为p型GaAs杂质半导体。 三. 杂质的补偿作用 实际的半导体中既有施主杂质（浓度nd），又有受主杂质（浓度na），两种杂质有补偿作用： 若nd ? na——为n型（施主） 若nd ? na——为p型（受主） 利用杂质的补偿作用，可以制成 p-n 结。 §4.4 p -n 结 一. p - n 结的形成 在 n 型半导体基片的一侧掺入较高浓度的 面附近产生了一个内建 阻止电子和空穴进一步扩散。 电子和空穴的扩散， 在p型和n型半导体交界 p型半导体(补偿作用)。 受主杂质， （电）场 该区就成为 n型 p型 内建场大到一定 程度，不再有净电 荷的流动