VDMOS的ATLAS仿真讲解.ppt

微电子设计大赛采用JTE终端结构 VDMOS的ATLAS仿真 内容 第四部分：VDMOS仿真流程 * * 第一部分：MOSFET介绍 第二部分：VDMOS主要参数 第三部分：VDMOS工艺流程 第四部分：VDMOS仿真流程 第一部分：MOSFET介绍 MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 即金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET的分类： VDMOS P沟道增强型 P沟道耗尽型 N沟道增强型 N沟道耗尽型 MOSFET主要工作原理（以N沟道增强型为例）： 衬底材料为P型硅，源区和漏区均为N+区。在栅极电压为零时，由于氧化层中正电荷的作用使半导体表面耗尽但未形成导电沟道。当在栅极加上正电压是，表面有耗尽层变为反型层，当Vgs=Vt（阈值电压）表面发生强反型，即形成n型沟道，则此时加在栅极上的电压Vt即为MOS管的开启电压。在此时，如果在漏源之间加正电压，电子就能够从源极流向漏极，形成漏极向源极的电流。 MOSFET的特点： 双边对称：电学性质上，源漏极可以互换（VDMOS不可以） 单极性：参与导电的只有一种载流子，双极器件是两种载流子导电。 高输入阻抗：由于存在栅氧化层，在栅和其它端点之间不存在直流通路，输入阻抗非常高。 电压控制：MOS场效应管是电压控制器件，双极功率器件是电流控制器件。驱动简单。 自隔离：MOS管具有很高的封装密度，因为MOS晶体管之间能够自动隔离。能广泛用于并联。 其它：温度稳定性好 功率器件的特征： 低 中等 高 开关损失 快 中等 慢 开关速度 高 低 低 开态电阻 简单 简单 复杂 控制电流 低 低 高 控制电压 电压 电压 电流 输入控制参数 符号 VDMOS IGBT 晶体管 项 目 功率器件的特征： 功率MOSFET的主要类型： VDMOS（垂直双扩散MOS） VVMOS（垂直V型槽MOS） UMOS（U型槽MOS） 其它如cool MOS等 功率MOSFET的主要类型： VDMOS是大量重要特征结合的产物，包括垂直几何结构、双扩散工艺、多晶硅栅结构和单胞结构等。 第二部分：VDMOS主要参数 VDMOS主要参数： VDMOS主要参数： VDMOS主要参数（静态参数）： BVdss: 漏源击穿电压 (与三极管的cb电压相似) Id: 连续漏极电流 Rds（on）：通态电阻，器件导通时，给定电流时的漏源电阻 gfs：跨导，漏极电流随栅源电压变化的比值（单位：S西门子） Vgs(th)：阈值电压，多晶下面的沟道出现强反型层并且在源极和 漏极之间形成导电沟道时的栅源电压 VDMOS主要参数（开关参数）： 开关参数 Td(on)：开启延迟时间 Tr：上升时间 Tf：下降时间 Td(off)：关闭延迟时间 Qg：栅极电荷 Ton：开通时间 Toff：关断时间 VDMOS主要参数（原理图）： Ciss: 输入电容（Cgs+Cgd） Coss:输出电容（Cgd+Cds） Crss：反向传输电容（Cgd） VDMOS主要参数（动态参数）： VDMOS主要动态参数（原理图）： 第三部分：VDMOS产品工艺流程 制 造 流 程 芯片制造 封装 外延片制造 管芯制造 管芯制造： 分压环制作 栅氧制备 P-注入 P+注入 P阱推结 N+注入 PSG淀积 接触孔制备 正面电极制备 背面电极制备 中测 裂片 表面钝化 场氧化 J-FET注入 环光刻 分压环制备 多晶淀积 多晶激活 栅氧制造和P-注入： 栅氧 P-注入 去胶 多晶光刻 P+注入 去胶 P+注入和阱推结： P+光刻 P阱推结 N+注入 去胶 N+注入： N+光刻 PSG回流 接触孔制备： PSG淀积 接触孔光刻 金属光刻 正面电极制备： 金属淀积 合金 钝化层光刻 表面钝化： Si3N4淀积 背面蒸发 背面金属制备： 背面减薄 划片 中测和划片： 中测 *