电位分析法分解.pptVIP

5. 离子敏感场效应晶体管 ( ion sensitive field effective transistor , ISFET ) 微电子化学敏感器件，既具有离子选择性电极对离子敏感的特性，又保留场效应晶体管的性能。 在源极和漏极之间施加电压（Vd），电子便从源极流向漏极（产生漏电流Id），Id的大小受栅极和与源极之间电压（Vg）控制，并为Vg与Vd的函数。 离子敏感场效应晶体管原理 将金属栅极用离子选择性电极的敏感膜代替，即成为对相应离子有响应的ISFET。 当它与试液接触并与参比电极组成测量体系时，由于在膜与试液的界面处产生膜电位而叠加在栅压上，将引起ISFET漏电流（Id）相应改变， Id 与响应离子活度之间具有类似于能斯特公式的关系。 应用时，可保持Vd 与Vg 恒定，测量 Id 与待测离子活度之间的关系（ Id 以μA为单位）。也可保持Vd 与Id 恒定，测量Vg 随待测离子活度之间的关系（也具有类似于能斯特公式的关系）。 离子选择性电极性能参数 一、标准 曲线 以ISE的电位?对响应离子活度的负对数-lgax(pX) 作图, 所得曲线为标准校正曲线。如图。 Nernst 响应：如果该电极对待测物活度的响应符