三极管(经典)解析.pptVIP

* * * 双极型晶体管分有NPN型和PNP型，虽然它们外形各异，品种繁多，但它们的共同特征相同：都有三个分区、两个PN结和三个向外引出的电极： * 注意：NPN型管与PNP型管工作原理相似，但由于它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向相反，加在各极上的电压极性相反。 * * 2.1 晶体三极管 重 点 难 点 1、三极管的基本结构 2、三极管的电流放大原理及其分配规律 三极管的电流放大原理及其分配规律 内部特点 外部条件 放大作用 二极管 1.外形： 3. 单向导电性： 2.图形符号、文字符号： 正偏：V正极 V负极，导通 R小≈0 ＞ 反偏：V正极 V负极，截止 R大≈∞ ＜ 有利于扩散运动 有利于漂移运动 温故知新： N N C E B P C E T B IB IE IC 符号 B E C P P N E T C B IB IE IC 符号 一、分 类 与 结 构 1.结构：有NPN型和PNP型 2.材料：有硅三极管和锗三极管 3.工作频率：有高频三极管和低频三极管 4.功率大小：有大功率三极管和小功率三极管 NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N PNP 型 b c e b c e 三极管：三个极、三个区、两个PN结 电极C与E的位置能对换吗？ 想一想： ？ ？ 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 B E C N N P 集电区：面积大 二、晶 体 管 电 流 放 大 作 用 1、晶体管实现放大的内部特点 晶体管芯结构剖面图 e发射极 集电区N 基区P 发射区N b基极 c集电极 (1)发射区掺杂浓度最高：发射区掺杂浓度远大于基区，利于向基区扩散。 (2)基区做得很薄且掺杂浓度低：保证绝大部分载流子扩散到集电结。 (3)集电区面积较大：以便收集更多的载流子。 可见，三极管不是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。 V1 N P P P N N V2 V2 V1 E C B E C B 2、晶体管实现放大的外部条件 - + - + + - + - 想一想：三个电极的电位大小关系如何？ 发射结） （扩散 利于 集电结） （漂移 利于 发 射 结 集 电 结 发 射 结 集 电 结 VC＞VB ＞ VE VE＞VB ＞ VC 【举例分析】测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位V1、V2、V3分别为： （1）V1=3.5V、V2=2.8V、V3=12V （2）V1=3V、V2=2.8V、V3=12V （3）V1=6V、V2=11.3V、V3=12V （4）V1=6V、V2=11.8V、V3=12V 判断它是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定E、B、C。 　　 （1）1 b、2 e、3 c NPN 硅 （2）1 b、2 e、3 c NPN 锗 （3）1 c、2 b、3 e PNP 硅 （4）1 c、2 b、3 e PNP 锗 原则：先确定B，再求|UBE|，若等于0.6—0.8V，为硅管；若等于 0.1—0.3V，为锗管，从而E、C确定。　　　　 根据发射结正偏，集电结反偏。 　　　 NPN管：VC ＞ VB ＞ VE 　　　 PNP管：VC ＜ VB ＜ VE 解： 小试牛刀： EB RB IB IC EC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 扩散运动形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 漂移运动形成集电极电流IC 复合运动形成IB 电流分配关系： 动态过程 IE＝IB＋IC 电流分配：IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 直流电流放大系数 交流电流放大系数 RC VCC iB IE RB + uBE ? + uCE ? VBB C E B iC + ? + ? + ? 输入 回路 输出 回路 共