半导体物理件 Chapter8-1.pptVIP

8.1辐射复合和非辐射复合 在复合过程中电子多余的能量可以以辐射的形式（发射光子）释放出来，这种复合称为辐射复合，它是光吸收的逆过程。 在复合过程中电子的多余能量也可以以其它形式释放出来，而不发射光 子，这种复合称为非辐射复合。 光电器件利用的是辐射复合过程，非辐射复合过程则是不利的。了解半导 体中辐射复合过程和非辐射复合过程是了解光电器件的工作机制和进行器件 设计的基础。 8.1.1辐射复合 1.带间辐射复合 带间辐射复合是导带中的电子直接跃迁到价带与价带中的空穴复合。发射的光子的能量接近等于半导体材料的禁带宽度。 由于半导体材料能带结构的不同，带间辐射复合又可以分为直接辐射复合和间接辐射合两种: 8.1.1 辐射复合 8.1.1辐射复合 8.1.1辐射复合 8.1.1辐射复合 8.1.1辐射复合 3.施主?受主对（D-A对）复合 施主?受主对复合是施主俘获的电子和受主俘获的空穴之间的复合。在复合过程中发射光子光子的能量小于禁带宽度。这是辐射能量小于禁带宽度的一种重要的复合发光机制，这种复合也称为D-A对复合。 D-A对复合模型认为，当施主杂质和受主杂质同时以替位原子进入晶格格点并形成近邻时，这些集结成对的施主和受主系统由于距离较近，波函数相互交叠使施主和受主各自的定域场消失而形成偶极势场，从而结合成施主?受主对联合发光中心，称为D-A对。 D-A对发光中心的能级如图8-3所示。 8.1.1辐射复合 8.1辐射复合 8.1辐射复合 8.1辐射复合 8.1.1辐射复合 8.1.1 辐射复合 6、等电子陷阱复合 等电子杂质：周期表内与半导体基质原子同族的原子。 等电子陷阱：由等电子杂质代替晶格基质原子而产生的束缚态。由于等电子杂质与被替位的原子之间的电负性和原子半径等方面是不同的，因而引起晶格势场畸变，可以束缚电子或空穴形成带电中心，就象在等电子杂质的位置形成陷阱，将电子或空穴陷着，故称为等电子陷阱。 如果等电子杂质的电负性比晶格原子的电负性大，则可以形成电子的束缚态，这样的等电子陷阱也可称为等电子的电子陷阱，这样的杂质称为等电子受主(如氮原子取代中Gap磷原子)。 如果等电子杂质的电负性比晶格原子的电负性小，则形成空穴的束缚态，称为等电子的空穴陷阱，产生这种束缚态的杂质称为等电子施主(如铋原子取代Gap中磷原子) 。 当等电子陷阱俘获了某一种载流子以后，成为带电中心，这个带电中心又由库仑作用而俘获带电符号相反的载流子，形成束缚激子。当激子复合时，就能以发射光子的形式释放能量。 8.1.1辐射复合 8.1.1辐射复合 8.1.2非辐射复合 8.1.2非辐射复合 8.1.2非辐射复合 8.1.2非辐射复合 8.1.2非辐射复合 3.表面复合 8.1 辐射复合与非辐射复合 8.2 LED的基本结构和工作过程 8.2 LED的基本结构和工作过程 8.2 LED的基本结构和工作过程 8.3 LED的特性参数 8.3.1 V-I特性 发光二极管的电流—电压特性和普通二极管大体一致。发光二极管的开启电压很低， 是1.0伏， 、 大约1.5伏。 8.3.2 量子效率 量子效率是发光二极管特性中一个与辐射量有关的重要参数。它反映了注入载流子复合产生光量子的率。量子效率又有内量子效率和外量子效率两个概念: 外量子效率：单位时间内输出二极管外的光子数目与注入的载流子数目之比。 内量子效率：单位时间内半导体的辐射复合产生的光子数与注入的载流子数目之比。 8.3.2量子效率 1.注射效率 8.3.2量子效率 8.3.2量子效率 2.辐射效率 发生辐射复合的电子数与总的注入电子数比： 8.3.2量子效率 三种可能的复合过程 8.3.2量子效率 8.3.2量子效率 8.3.2量子效率 8.3.2量子效率 影响逸出几率的主要因素：界面反射和 再吸收。 8.3.2量子效率 N型半导体圆顶 （8-18） （8-17） （8-16） （8-19） 窿泳厦昂芭壮笨向绚语芬讯坞倍凑澄鞠弯尽据铁撮芯娩嚼京磊锦哆琵诫堤半导体物理件 Chapter8-1半导体物理件 Chapter8-1 图8-13三种可能的复合过程 浅施主能级 浅受主能级 深复合中心 幌言铅娘史刀捆了季躁浮茶娥裴屡荐修媒螟岛醒辣锚毛躬耍用夯哩垮念亢半导体物理件 Chapter8-1