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8.3 TTL电路与CMOS电路的接口 一、TTL电路驱动CMOS电路 （b）当CMOS电路的电源高于5 V时，可以用OC门作驱动门。 （c）当TTL电路与CMOS电路电源不同时，还可以采用能实现电平转换的专用芯片进行接口。它的接口情况如下图所示。 2、TTL电路驱动74HCT系列CMOS电路 由于TTL电路的输出能满足CMOS的74HCT系列的所有输入要求，因此，可以将TTL电路的输出端与74HCT电路的输入直接相连接，不需要另用其它元器件。 1、CMOS4000系列驱动TTL电路 当CMOS4000和它驱动的TTL电路电源都是5 V时，通常采用两个方法：一是将同一个芯片上的多个CMOS门电路并联使用，增大CMOS电路总的输出低电平电流，给TTL电路提供合适的输入低电平电流。如图1所示。二是在CMOS电路和TTL电路之间接入CMOS驱动器。如图2所示。 2、高速CMOS电路驱动TTL电路 CMOS电路和TTL电路电源电压都为5 V时，高速CMOS电路输出端和TTL电路的输入端可以直接相连。 * * * * 书名：数字电子技术 ISBN：978-7-111-35067-5 作者：初玲 出版社：机械工业出版社 本书配有电子课件 CMOS集成逻辑门 ★ CMOS门电路的使用要求及注意事项 ★ TTL与CMOS集成电路性能比较 CMOS与TTL的接口 MOS集成逻辑门 8.1.1 MOS集成逻辑门 能与大多数的TTL逻辑电路兼容。 MOS集成逻辑门是由MOS场效应晶体管组成的数字集成电路 MOS集成逻辑门 在LSI（大规模集成电路）及VLSI(超大规模集成电路)的制作上已经超过TTL，并占据优势。 制作工艺简单， 成本低， 输入阻抗极高， 功耗低， 集成度高 工作电源允许变化范围大，抗干扰性能较好 场效应晶体管是电压控制型器件 与双极性晶体管相比较具有许多优点。 MOS集成逻辑门 MOS集成逻辑门分为： P沟道增强（称PMOS） N沟道增强（称NMOS） 和互补MOS（称CMOS）三种。 PMOS由于开关速度低，电源电压高而且是负电源， 不便与TTL集成逻辑门衔接，现已经很少使用； NMOS克服了PMOS的许多问题，但速度低的问题始终 限制了其发展； CMOS充分表现了MOS技术的突出优点，成为LSI及VLSI集成电路的主流产品。 MOS集成逻辑门 8.1.2 CMOS反相器的工作原理 1.电路结构 这种由VF1，VF2共同组成的互补对称型的场效应管集成电路称为CMOS反相器。 P沟道结构的增强型 场效应管 N沟道结构的 增强型 场效应管 负载管 驱动管 CMOS反相器 输入和输出之间为反相关系，实现非门逻辑功能 2.电路工作原理： uI=0V时，uGS2=0V, uGS1= 0V , uGS1= -10V 输出uO为高电平； uI= 10V时，uGS2=10V, 输出uO为低电平。 0 0 截止 导通 -10 1 10 10 导通 截止 0 0 VF2截止 VF1导通 此时VF2导通 VF1截止, CMOS反相器 8.1.3 CMOS传输门 CMOS传输门和双向模拟开关 1.电路结构及逻辑符号 CMOS传输门 逻辑符号 设VF1管和VF2管的开启电压为UGS(th) , UDD≥2 UGS(th), 控制信号C的高电平为UDD，低电平为0V。 2.工作原理： PMOS管 NMOS管 CMOS传输门和双向模拟开关 传输门不传输信号。因为VF1管和VF2管均处于截止 状态,相当于电路是断开的。 （1）当 （2）当 VF1管和VF2管均导通，即传输门导通，uo=uI uI可以是0V到UDD的任意电压。 结论： 当输入信号电压在0－UDD范围内变化时， VF1管和VF2管至少有一个处于导通状态， 输入和输出之间呈低阻态，相当于开关闭合 信号得以传输，且uo=uI。 CMOS传输门和双向模拟开关 8.1.4 其它类型的CMOS门电路 由两个串联的N沟道和两个并联P沟道增强型MOS管构成 VF1和VF2两个栅极相连构成又一互补电路，两个互补电路的输入端为与非门的2个输入端。 VF3和VF4两个栅极相连构成互补电路 2输入端CMOS 与非门电路 其他类型的CMOS门电路 1.与非门电路结构 输出端Y为低电平0，即“全1出0” 输出端Y为高电平1，即“有0出1” 2.逻辑功能 当A，B同时为高电平1时， VF4 ，VF2 均导通，VF3 ，VF1 均截止 当A，B端有一个或两个为低电平时， 串联VF4 ，VF2 有一个或两个截止 并联的VF3 ，VF1 有一个或两个导通 其他类型的CMOS门电路 由两个串联的P沟道增强型和两个并联N沟道增强型 MOS管构成。 1.电路组成： 8.2.2 C