扫描电镜基础知识与应用--lubin描述.pptVIP

扫描电镜（SEM） 引　　言 扫描电子显微镜的简称为扫描电镜，英文缩写为SEM (Scanning Electron Microscope)。它是用细聚焦的电子束轰击样品表面，通过电子与样品相互作用产生的二次电子、背散射电子等对样品表面或断口形貌进行观察和分析。所以，SEM是显微结构分析的主要仪器，已广泛用于材料、冶金、矿物、生物学等领域。 SEM的诞生背景 1923年，法国科学家Louis de Broglie发现，波粒二象性。 1926年，德国物理学家H·Busch提出了关于电子在磁场中的运动理论。 1932年，结合上述两方面的理论，德国柏林工科大学高压实验室的M.Knoll和E.Ruska研制成功了第1台实验室电子显微镜， 1933年，E.Ruska用电镜获得了金箔和纤维的1万倍的放大像。 1937年，柏林工业大学的Klaus和Mill继承了Ruska的工作，拍出了第1张细菌和胶体的照片，获得了25nm的分辨率。 1939年，E.Ruska在德国的Siemens公同制成了分辨率优于10nm的第1台商品电镜，而荣获1986年诺贝尔物理学奖。 1944年Philip公司设计了150kV的透射电镜，并首次引入中间镜。 1947年法国设计出400kV的高压电镜。60年代初，法国制造出 1500kV的超高压电镜。 1970年法国、日本又分别制成3000kV的超高压电镜。 扫描电镜作为商品出现则较晚，早在1935年，Kn-oll 在设计透射电镜的同时，就提出了扫描电镜的原理及设计思想。 1940年英国剑桥大学首次试制成功扫描电镜。 1965年英国剑桥科学仪器有限公司开始生产商品扫描电镜。 80年代后扫描电镜的制造技术和成像性能提高很快，目前高分辨型扫描电镜（如日立公司的S-5000型）使用冷场发射电子枪，分辨率已达0.6nm，放大率达80万倍。 SEM的特点 SEM的信号种类 SEM的工作原理 SEM的构造 SEM的图像和衬度 SEM的主要性能指标 SEM样品制备 SEM微区成分分析技术 SEM的应用实例 SEM的操作技术 1.SEM的特点 分辨率较高。二次电子像分辨本领可达1.0nm(场发射),3.0nm(钨灯丝) 放大倍数变化范围大（从几倍到几十万倍），且连续可调。 景深大，图像富有立体感，特别适合表面形貌的分析。（如金属和陶瓷的断口等） 可进行多种功能的分析。与 X 射线谱仪配接，可在观察形貌的同时进行微区成分分析 试样制备简单。块状或粉末的试样不加处理或稍加处理，就可直接进行观察。可以观察直径为0 ～ 100mm的大块试样(在半导体工业可以观察更大直径) 可使用加热、冷却和拉伸等样品台进行动态试验，观察在不同环境条件下的相变及形态变化等 各种信号的深度和区域大小 像闭路电视系统那 样，由三极电子枪发射 出来的电子束，在加速 电压的作用下，经过2~ 3个电子透镜聚焦后， 在样品表面安顺序逐点 逐行扫描成像 4.SEM的构造 电子光学系统 扫描系统 信号收集系统 图像显示和记录系统 真空系统 电源控制系统 真空系统和电源系统 真空系统的作用是为保证电子光学系统正常工作，防止样品污染提供高的真空度，一般情况下要求保持10-4-10-5 Torr的真空度,场发射电镜要求更高的真空度。常用：机械真空泵、扩散泵、涡轮分子泵、离子泵。 电源系统由稳压，稳流及相应的安全保护电路所组成，其作用是提供扫描电镜各部分所需的电源。 5.SEM的图像和衬度 二次电子像 背散射电子像 二次电子 　　入射电子与样品相互作用后，使样品原子较外层电子（价带或导带电子）电离产生的电子，称二次电子。二次电子能量比较低，习惯上把能量小于50eV电子统称为二次电子，仅在样品表面5nm－10nm的深度内才能逸出表面，这是二次电子分辨率高的重要原因之一。 背散射电子与二次电子的信号强度与Z的关系 二次电子象 　　二次电子象是表面形貌衬度，它是利用对样品表面形貌变化敏感的物理信号作为调节信号得到的一种象衬度。因为二次电子信号主要来处样品表层5－10nm的深度范围，它的强度与原子序数没有明确的关系，便对微区表面相对于入射电子束的方向却十分敏感，二次电子像分辨率比较高，所以适用于显示形貌衬度。 二次电子发射强度与入射角的关系 　　凸凹不平的样品表面所产生的二次电子，用二次电子探测器很容易全部被收集，所以二次电子图像无阴影效应，二次电子易受样品电场和磁场影响。二次电子的产额δ∝ K/cosθ 　　K为常数，θ为入射电子与样品表面法线之间的夹角， 　　θ角越大，二次电子产额越高，这表明二次电子对样品表面状态非常敏感。 背散射电子 背散射电子是指入射电子与样品相互作用(弹性