第2章半导体与PN结摘要.pptVIP

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  • 2017-01-25 发布于湖北
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第2章半导体与PN结摘要

在下面的动画中,注意观察跑入耗尽区的载流子,并留意穿过pn结的载流子。 * * § 2.6.1 P-N结 --pn结二极管 § 2.6.1 P-N结 --pn结二极管 需要说明的一点是,实际的pn结中载流子的数目和速度都是比动画中的要高得多,而穿过pn结的载流子数目也是非常大的。到达扩散区与耗尽区的交界处时,少子会被电场拉到耗尽区。由此形成的电流叫做漂移电流。在平衡状态下,漂移电流的大小受到少子数目的限制,这些少子是在与耗尽区的距离小于扩散长度的区域通过热激发产生的。在平衡状态下,半导体的净电流为零。电子的漂移电流与电子的扩散电流是相互抵消的(试想如果没有抵消的话,将在半导体的其中一边出现电子的聚集)。同理,空穴的漂移电流与空穴扩散电流也是相互抵消的。 § 2.6.2 P-N结 --pn结的偏置 半导体器件共有三种状态模式: 1.热平衡状态 在热平衡模式下,半导体没有额外的刺激,如光照射或外加电压。载流子的电流相互抵消所以在器件内没有净电流。 2.稳态 在恒稳模式下,将有光线照射或施有外加电压,但这些条件并不随时间而改变。器件通常处在稳定状态,要么正向偏压要么反向偏压。 3.突变状态 当施加的电压迅速改变时,太阳能电池的对变化的响应将会出现延迟。

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