(2006年北京市高一化学竞赛试卷.docVIP

2006年北京市高一化学竞赛试卷 （2006年5月21日 9︰00－11︰00 共计2小时） 题号 Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ 总计 满分 10 8 8 8 6 14 12 8 16 10 100 得分 评卷人 竞赛时间2小时。迟到超过30分钟者不能进考场。开始考试后1小时内不得离场。时间到，把试卷放在桌面上，立即起立撤离考场。 姓名、报名号和所属学校必须写在首页左侧指定位置，写在其他地方者按废卷论。 允许使用非编程计算器以及直尺等文具。 H 1.008 相对原子质量 He 4.003 Li 6.941 Be 9.012 B 10.81 C 12.01 N 14.01 O 16.00 F 19.00 Ne 20.18 Na 22.99 Mg 24.31 Al 26.98 Si 28.09 P 30.97 S 32.07 Cl 35.45 Ar 39.95 K 39.10 Ca 40.08 Sc 44.96 Ti 47.88 V 50.94 Cr 52.00 Mn 54.94 Fe 55.85 Co 58.93 Ni 58.69 Cu 63.55 Zn 65.39 Ga 69.72 Ge 72.61 As 74.92 Se 78.96 Br 79.90 Kr 83.80 Rb 85.47 Sr 87.62 Y 88.91 Zr 91.22 Nb 92.91 Mo 95.94 Tc [98] Ru 101.1 Rh 102.9 Pd 106.4 Ag 107.9 Cd 112.4 In 114.8 Sn 118.7 Sb 121.8 Te 127.6 I 126.9 Xe 131.3 Cs 132.9 Ba 137.3 La－Lu Hf 178.5 Ta 180.9 W 183.8 Re 186.2 Os 190.2 Ir 192.2 Pt 195.1 Au 197.0 Hg 200.6 Tl 204.4 Pb 207.2 Bi 209.0 Po [210] At [210] Rn [222] Fr [223] Ra [226] Ac－Lr Rf Db Sg Bh Hs Mt 第Ⅰ题（10分） A、B、C、D是短周期元素，A原子有两个电子层，其最高正氧化态与负氧化态代数和为零。B原子的最外层电子排布式为nsnnp2n。C、D两原子的最外层电子数分别是次外层电子数的一半，其中C为半导体材料。试写出： 1．画出B原子的轨道排布式 ； 2．A、B元素形成的酸酐的化学式 ； 3．D元素的单质与水反应的化学方程式 ； 4．写出B、C元素形成的化合物与强碱反应的离子方程式 ； 5．A、C元素气态氢化物的稳定性大小 (用分子式表示)。 第Ⅱ题（8分） 氮化硅是一种高温陶瓷材料，它的硬度大、熔点高、化学性质稳定，工业上曾普遍采用高纯硅与纯氮在1 300 ℃下反应制得。 1．根据性质，推测氮化硅的用途是 。（填序号） A．制汽轮机叶片 B．制有色玻璃 C．制光导纤维 D．作润滑材料 2．根据元素周期律知识，写出氮化硅的化学式 。 3．氮化硅陶瓷抗腐蚀能力强，除氢氟酸外，它不与其它无机酸反应。试写出该陶瓷被氢氟酸腐蚀的化学方程式 。 4．现用四氯化硅和氮气在氢气气氛保护下，加强热发生反应，可得较高纯度的氮化硅，写出反应的化学方程式 。 第Ⅲ题（8分） 按下列要求写出相应反应的化学方程式。 1．久置的油画，白色部分（PbSO4）常会变黑（PbS），用双氧水搓擦后又恢复原貌。写出油画恢复原貌的化学方程式。 。 2．氯气通入淀粉碘化钾中，会看到淀粉变蓝，但通入过量氯气蓝色会消失，原因是氯气将生成的碘单质又氧化，若反应的Cl2和I2物质的量之比为5:1,且生成两种酸，写出蓝色消失反应的化学方程式。