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系别____________ 班次_____________ 学号_____________ 姓名_______________ ………………密……………封……………线……………以……………内……………答……………题……………无……………效……………… 电 子 科 技 大 学 二 0一0 至 二 0一一 学 年 第 一 学 期 ____半导体物理 半期 ____课 程 考 试 题 (120分钟) 考试日期: 2010 年 11 月 日 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷教师 注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分； 2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。 一、选择填空（含多选题）（25分） 1、与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（ ）； A、比半导体的大， B、比半导体的小， C、与半导体的相等。 2、室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3，同时掺有浓度为1.1×1015cm-3的磷，则电子浓度约为（ ），空穴浓度为（），费米能级为（）；将该半导体由室温度升至570K，则多子浓度约为（），少子浓度为（），费米能级为（）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3，570K时，ni≈2×1017cm-3） A、1014cm-3 B、1015cm-3 C、1.1×1015cm-3 D、2.25×105cm-3 E、1.2×1015cm-3 F、2×1017cm-3 G、高于Ei H、低于Ei I、等于Ei 3、施主杂质电离后向半导体提供（ ），受主杂质电离后向半导体提供（ ），本征激发后向半导体提供（ ）； A、空穴， B、电子。 4、对于一定的p型半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度（ ），本征流子浓度（ ），功函数（ ）； A、增加， B、不变， C、减少。 5、对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（ ）靠近Ei； A、Ec， B、Ev， C、Eg， D、EF。 6、热平衡时，半导体中的电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与（ ）有关，而与（ ）无关； A、杂质浓度 B、杂质类型 C、禁带宽度， D、温度。 7、表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）； A、施主态 B、受主态 C、电中性 第1页 共五页 系别____________ 班次_____________ 学号_____________ 姓名_______________ ………………密……………封……………线……………以……………内……………答……………题……………无……………效……………… 8、当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（ ）倍； A、1， B、1/2， C、1/3， D、1/4。 9、最有效的复合中心能级位置在（ ）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（ ）附近，常见的是E陷阱。 A、EA， B、ED， C、EF， D、Ei E、少子 F、多子。 10、载流子的扩散运动产生（ ）电流，漂移运动产生（ ）电流。 A、漂移 B、隧道 C、扩散 11、MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（ ），若增加掺杂浓度，其开启电压将（ ）。 A、相同 B、不同 C、增加 D、减少