4.5掺杂.pptVIP

各种杂质源 B的杂质源 大多数杂质源都是先分解或化合生成B2O3， B2O3再与表面Si反应产生B并向Si内扩散。 P的杂质源 大多数P源都是经化学反应先生成P2O5， P2O5再与表面Si反应产生P并向Si内扩散。 离子注入 核碰撞和电子碰撞 注入离子在无定形靶中的分布 注入损伤 热退火 离子注入 离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程，注入能量介于1KeV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm～10um。离子剂量变动范围，从用于阈值电压调整的1012/cm2到形成绝缘埋层的1018/cm2。 离子注入应用 隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断 调整阈值电压用的沟道掺杂 CMOS阱的形成 浅结的制备 在特征尺寸日益减小的今日，离子注入已经成为一种主流技术。离子注入已成为VLSI制程上最主要的掺杂技术。一般CMOS制程，大约需要6~12个或更多的离子注入步骤。 相对于扩散，它能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。 离子注入系统的原理示意图 离子源是产生离子的部件。将被注入物质的气体注入离子源，在其中被电离形成正离子，经吸极吸出，由初聚焦系统，聚成离子束，射向磁分析器。 吸极是一种直接引出离子束的方法，即用一负电压（几伏到几十千伏）把正离子吸出来。 产生离子的方法有很多，目前常用的利用气体放电产生等离子体。 离子注入系统原理—离子源 离子注入