3-二极管器件终稿.ppt

* 三、 二极管的V-I特性曲线 1. 正向特性 2. 反向特性 3. 反向击穿特性 v iD 死区电压Ｖth: 硅管0.5-0.7V,锗管0.1-0.3V 导通压降vD: 硅管0.5~0.7V,锗管0.1~0.3V。 反向击穿电压UBR UBR Ｖth VD * 四、 参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。 * 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 4. 极间（结）电容C 5. 反向恢复时间TRR * 五、常见的二极管实物外形 * § 3.4 二极管基本电路及其分析方法 一、建立二极管的等效模型的意义 vi vD Ｒ Ｄ VI vI 直流 交流 VD Ｒ Ｄ VI 直流 直流 + vi vd Ｒ Ｄ 交流 交流 当电源电压中既有直流量又有交流量（vI=VI+ vi）时，根据叠加原理可知：二极管上的电压也应该既有直流量又有交流量，既　vD(交直流量）=VD（直流量）+ vd（交流量） iD(交直流量）=ID（直流量）+ id（交流量） 其中：直流量VD、 ID可根据二极管的静态模型求得；交流量vd、 id可根据二极管的动态模型求得。 iD ID id * (一)、二极管的静态等效模型 u i vz vth VD v i 实际二极管的v-I特性曲线 二极管理想的v-I特性曲线 1、晶体二极管的理想模型 ①、当在二极管加上正向电压, 近似认为VD=0,ID≠0, ②、当在二极管加上反向电压,近似认为VD≠0,ID=0, A K A K A K A K VD A K ID 此时二极管相当于导线。 此时二极管相当于断开。 * u i UZ vth VD v i 实际二极管的u-I特性曲线 二极管的恒压模型u-I特性曲线 2、晶体二极管的恒压模型 ①当在二极管加上正向电压, 近似认为VD= 0.7V(硅管）或０.3V(锗管),i≠0, ②当在二极管加上反向电压,、近似认为VD≠0,ID=0, A K A K A K VD A K ID 此时二极管相当于0.6V或0.3V的电压源。 此时二极管相当于断开。 A K 0.6V或０.3V VD * 实际二极管的u-I特性曲线 二极管的折线模型u-I特性曲线 VD A K ID u i UZ vth VD v i 3、晶体二极管的折线模型 ①当在二极管加上正向电压, 近似等效为电压源vth与rd （约为200Ω）的串联。 ②当在二极管加上反向电压,、近似认为VD≠0,ID=0, A K A K A K 此时二极管相当于断开。 vth rd A K vth rd VD * （二）、二极管的动态等效模型----小信号模型 vd A K id A K rd vd 图中： rd －动态电阻， ＩＤ为二极管的静态电流。 当量电压 * 二、晶体二极管电路的分析 vi vd Ｒ Ｄ ID 1、低压稳压电路 例：已知VI=5V， vi=０.2sinωt V,R=5kΩ,求输出电压vD 解： vi vD Ｒ Ｄ VI vI VD Ｒ Ｄ VI + ID VD Ｒ 0.7V VI vi vd Ｒ rd 静态模型 动态模型 输出电压变化很微弱，故可稳压。 * vi 0 2、半波整流电路 v0 二极管相当于导线， 当vi为正半周时，vD0, 二极管导通。 二极管相当于断开， 当vi为负半周时，vD0 二极管截止。 vi R v0 则：v0=vi 则：v0=０ vD * 例：电路如下图所示，判断图中的二极管是导通还是截止，求电压uO。设二极管是理想的。 vD20 1、移掉D1、D2，分别求出开路电压VD10、VD20 VD10=4V、VD20=5V 2、将D1、D2放入， 则D2优先道通 3、v0=0V， VD1=-1V， vD10 则D1截止 则D1被箝位 解： D1 D2 R +5V +1V 0V v0 3、门电路 分析思想：应运用二极管的优先道通及箝位概念。 vD1 * 4、二极管限幅电路 ui vo Ｒ 5V Ｄ 例:电路如图下图，vi＝10sinωt V， 试画出u0的波形。 vi 0 10V -10V 5V v0 vd 解： vd=ui-5 当 vd=vi-50,即vi5V时, 二极管截止, v0=vi 当 vd=vi-50,即vi5V时, 二极管导通, v0=5V