SiC技术的优点缺点介绍..docxVIP

高效SiC技术的介绍和分析　摘要：随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求，SiC（碳化硅）将会是越来越合适的半导体器件。尤其针对/KW-guangfunibianqi.html \o 光伏逆变器 \t _blank光伏逆变器和UPS应用，SiC器件是实现其高功率密度的一种非常有效的手段。本文主要介绍SiC技术优点、缺点及目前应用层面的一些瓶颈。　1.引言　由于SiC相对于Si的一些独特性，对于SiC技术的研究，可以追溯到上世界70年代。　简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势:　击穿电压强度高（10倍于Si）　更宽的能带隙（3倍于Si）　热导率高（3倍于Si）　这些特性使得SiC器件更适合应用在高功率密度、高开关频率的场合。当然，这些特性也使得大规模生产面临一些障碍，直到2000年初单晶SiC晶片出现才开始逐步量产。目前标准的是4英寸晶片，但是接下来6英寸晶片也要诞生，这会导致成本有显着的下降。而相比之下，当今12英寸的Si晶片已经很普遍，如果预测没有问题的话，接下来4到5年的时间18英寸的Si晶片也会出现。　Vincotech公司十几年前就已经采用SiC二极管来开发功率模块。SiC二极管由于其卓越的反向恢复特性，可以有效的减小它本身的开关损耗和IGBT的开关损耗。SiC肖特基二极管虽然已经应用了很多年，但是还需要进一步改善价格来获得更广阔的市场。　最近几年的主