常用电子元器件的使用全解.ppt

2.4 场效应晶体管FET 场效应管(单极型晶体管）与晶体三极管（双极型晶体管）不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET (Junction FET) 绝缘栅型场效应管MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) 场效应管有两种: N沟道 P沟道 增强型EMOS 按沟道类型分 N沟道NMOS P沟道PMOS （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 按工作方式分 耗尽DMOS 场效应管分类 P N N g s d N沟道增强型 g s d B P型基底 SiO2绝缘层 金属铝 两个N区 P N N g s d g s d B N 沟道耗尽型 予埋了导电沟道 MOSFET结构和电路符号 N P P g s d P 沟道增强型 g s d B N P P g s d g s d B P 沟道耗尽型 予埋了导电沟道 MOSFET结构和电路符号 正常工作条件 源区和漏区的两个N区与衬底之间的PN结必须外加反偏电压。即vDS0。 P N N g s d vDS vGS 工作原理： 在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。这样，在漏极电压的作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。 vDS vGS NEMOSFET工作原理 P N N g s d （1）vGS=0时 漏区和源区被隔断,没有导电沟道 iD=0 vGS + - 沟道形成原理 （2）vGS0且vGSVT 漏区和源区仍被隔断 iD=0 （3）vGSVT 形成导电沟道，vDS作用下的漏极电流随vGS增大而增大 反型层 （导电沟道） VT:开启电压 形成反型层所需VGS的值 vDS + - iD （1）vDS很小，沟道宽度保持不变， vDS增大， iD线性增大 vDS对沟道导电能力的控制 vGSVT vDS0 （2）vDS增加，vGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 （3）夹断后，即使vDS 继续增加，iD仍呈恒流特性。 vDS + - P N N g s d vGS + - iD 当vDS较大时，靠近d区的导电沟道变窄。 当vDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 MOSFET的主要参数 1、开启电压VT（增强型MOS） 当vDS为某一个固定值使iD等于一微小电流时，栅源间的电压为VT。 一、直流参数 2、夹断电压VP（耗尽型FET） 当vDS为某一个固定值使iD等于一微小电流时，栅源之间所加的电压称为夹断电压VP。 3、饱和漏极电流IDSS（耗尽型FET） 在vGS=0的情况下，当 时的漏极电流。 4、直流输入电阻RGS 在漏源之间短路的条件下，栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻就是直流输入电阻RGS。 MOSFET的主要参数 1、输入电阻rds 表明了vDS对iD的影响。是输出特性某一点上切线斜率的倒数。 二、交流参数 2、低频互导gm 当vDS等于常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比成为互导。 互导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。 互导是表征FET放大能力的一个重要参数。 2.1二极管 2.2三极管 2.3晶闸管 常用电子元器件使用 2.4场效应管 2.1 二极管 划分方法及种类 解 说 按功能划分 普通二极管 常见的二极管 整流二极管 专门用于整流的二极管 发光二极管 专用于指示信号的二极管,能发出可见光 稳压二极管 专门用于稳压的二极管 光敏二极管 对光有敏感作用的二极管 按照材料划分 硅二极管 硅材料二极管,常用的二极管 锗二极管 锗材料二极管 按外部封装材料划分 塑封二极管 大量使用的二极管使用这种封装材料 金属封装二极管 大功率整流二极管采用这种封装材料 玻璃封装二极管 检波二极管采用这种封装材料 二极管外形特征： 1）二极管共有两个引脚,两个引脚轴向伸出； 　 2）二极管的体积不大,比一般电阻要小些； 3）部分二极管的外壳上标有二极管电路符号. 正极，电流从正极流向负极 此三角形表示电流方向 电流方向 负极 二极管外形特征和电路符号 二极管电路符号识图信息 　二极管只有两个引脚:电路符号中已表示出了这两个引脚； 　电路符号中表示出二极管的正负极性:三角形底边这端为正极，另一端为负极。 它的电路符号与普通二极管电路符号不同之处在于负极表示方式不同。 稳压二极管符号 在普通二极管