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电路与电子学4.2讲解
4.2 半导体二极管 1.半导体二极管的结构和类型 在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 1.半导体二极管的结构和类型 半导体二极管外型图 2. 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性的测出。 ① 正向特性 死区电压:硅管 0.5V 锗管 0.1V 线性区:硅管 0.6V~1V 锗管 0.2V~0.5V 对温度变化敏感: 温度升高→正向特性曲线左移 温度每升高1℃→正向压降减小约2mV。 ② 反向特性 反向电流:很小。 硅管 0.1微安 锗管 几十个微安 受温度影响大: 温度每升高10℃→ 反向电流增加约1倍。 ③ 反向击穿特性 反向击穿UBR:几十伏以上。 2)、交流电阻rD rD定义为:二极管在其工作状态(IDQ,UDQ)处的电压微变量与电流微变量之比,即 4. 二极管的等效电路及应用 二极管特性曲线的非线性,给二极管电路的分析带来一定困难。为了简化分析,常常要做一些近似处理,可用某些线性电路元件来等效二极管,画出二极管的等效电路。 最常用的近似方法有二种。 ⑴ 理想二极管等效电路 如果二极管导通时的正向压降远远小于和它串联的电压,二极管截止时的反向电流远远小于与之并联的电流,则可以忽略二极管的正向压降和反向电流,把二极管理想化为一个开关,如图所示。 ⑵ 考虑正向压降的等效电路 二极管的正向压降UD变化不大(例如硅管约为0.6~0.8V),可近似认为二极管正向导通时有一个固定的管压降UD(硅管取0.7V,锗管取0.2V),于是可用一固定电压源来等效正向导通的二极管。 当外加电压UUD时,二极管不通,电流为零,相当于开路。图中画出了这种近似等效电路。 ⑶ 二极管电路的分析方法 二极管电路有两种基本分析方法。 图解法,其做法为:利用二极管伏安特性曲线,用做负载线的方法来分析电路。 计算分析法,其做法为:根据不同的条件利用二极管的等效电路来近似分析和计算电路。这种方法简便易行,误差较小,是常用的分析方法。 下面将结合例子来说明各种分析方法。 由于二极管具有单向导电性,因此利用它可以进行交流电到直流电的转换。这样的电路叫整流电路(Rectifier Circuits)。图 (a)就是一个实用的单相桥式全波整流电路,常应用于直流稳压电源中。四个二极管Dl ~ D4接成电桥形式。 设交流电源u为: 在一般整流电路中,设UmUD,因此常近似为UD = 0,可以用理想二极管等效电路来分析电路的工作原理。 当交流电源u0时,二极管Dl、D3导通,相当于开关闭合;D2、D4截止,相当于开关断开,如图 (b)所示。因此输出电压uO = u。 当u 0时,二极管D2、D4导通,Dl、D3截止,如图 (c)所示。因此uO =-u。 这样无论在交流电源u的正半周还是负半周,负载RL两端的输出电压uO始终是上正下负;RL电阻中的输出电流iO始终是由A点流向B点。 对应于交流电源u的波形可以画出uO,iO及二极管中的电流iD的波形如图 (d)所示。 那么桥式全波整流输出电压uO的平均值UO(即直流成分)为: 从前图中显见每个二极管都只在交流电源的半个周期内导通,所以流过每个二极管的平均电流ID均为IO的一半。即 那么,设计选择二极管时必须满足下列条件: 二极管电路的应用2 图(a)是一个二极管组成的限幅电路(Clipping Circuit)。这种电路常用于有选择地传输信号波形的一部分,所传输的波形部分处在电路设定的参考电压以上或以下。 电路中u为交流正弦电压信号。UR为直流参考电压源。D为非理想二极管。 从左上图的等效电路可见,当u0且uUR+UD时,二极管D导通,开关闭合,输出电压UO = UR十UD。 如右上图所示当uUR+UD时,二极管D截止,开关断开,输出电压uO=u。 画出uO的波形。电路将输出电压限制在UR+UD以下,可以采用理想二极管等效电路来进行分析,那么uO的波形将近似在UR电压以上削顶。 5. 稳压二极管 它的伏安特性与二极管基本相同,只是稳压管正常工作时是利用特性曲线的反向击穿区。 电流有很大改变而电压基本不变的特性称为稳压特性,稳压管就是利用这一特性工作的。 1、稳压管的主要参数: 稳定电压UZ UZ是稳压管反向击穿后的稳定工作电压值。 例如稳压管2CWl的稳定电压是7~8.5V。由于工艺上的困难,同一型号的管子,稳定电压值有一定的分散性,就是说,同样都是2CWl型的管子,一个稳定电压是7V,而另一个却可能是8.5V。 动态电阻rZ rZ是稳压管
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