半导体薄膜技术与物理第六章导论.ppt

IC制造中关键工艺： 材料生长：涉及导体/绝缘体/半导体 常用方法：热氧化/CVD/PVD/旋涂/电镀… 表面改性：化学性能、电学性能、PN结 图像转移：光刻(lithograph) 材料清除：湿法刻蚀(wet etch) 干法刻蚀 (RIE, Reactive Ion Etch) 化学机械抛光(CMP, Chemical Mechanical Polish) * * 第六章 半导体器件集成工艺 晶圆 电路设计 掩模 IC 生产厂房 测试 封裝 最后测试 热氧化 图形曝光 刻蚀与光刻胶剥离 离子注入与光刻胶剥离 金属化 化学机械抛光 介质薄膜沉积 晶圆制造流程图 薄膜技术 分立器件： 主要应用在微波，光电和功率器件方面。如碰撞电离雪崩渡越时间二极管（IMPATT）用作微波 产生器，半导体激光器和发光二极管作为光源，可控硅器件作为高功率的开关。 集成器件： 大部分的电子系统是将有源器件（如晶体管）和无源器件（如电阻，电容和电感）一起构建在单晶半导体上，通过金属化的形式互连而构成集成电路。 半导体器件按照结构可以分为： 1.降低互联的寄生效应，因为具有多层金属连线的集成电路，可大幅度降低全部的连线长度。 2.可以充分利用半导