微电子器件原理2014年下期知识点小结.doc

重要知识点 PN结： 半导体的一个区均匀掺杂了受主杂质，而相邻的区域均匀掺杂了施主杂质，这种PN结称为同质结。 在冶金结两边的p区与n区内分别形成了空间电荷区或耗尽区，该区内不存在任何可以移动的电子或空穴。 由于耗尽区内存在净空间电荷密度，耗尽区内有一个电场，电场方向由n区指向p区。 空间电荷区内部存在电势差，在零偏压的条件下，该电势差即内建电势差维持热平衡状态，并且在阻止n区内多子电子向p区扩散的同时，阻止p区内多子空穴向n区扩散。 PN结的反偏电压增加了势垒的高度，增加了空间电荷区的宽度，并且增强了电场。 理想PN结的电流-电压推导的4个假设基础：①耗尽层突变近似；②载流子的统计分布采用麦克斯韦-玻尔兹曼近似；③小注入假设；④ PN结内的电流值处处相等PN结内的电子电流与空穴电流分别为连续函数耗尽区内的电子电流与空穴电流为恒定值。 理想效应晶体管的条件①均匀掺杂；②小注入；③发射区和基区宽度恒定；④禁带宽度为定值；⑤电流密度为均匀值；⑥所有的结都在非击穿区。造成双极晶体管实际结构复杂的原因：①各端点引线要做在表面上，为了降低半导体的电阻，必须有重掺杂的N+型掩埋层；②由于在一片半导体材料上要制造很多双极晶体管，晶体管彼此之间必须隔离起来，因为并不是所有的集电极都在同一个电位上。双极扩散（双极输运）带负电的电子和带正电的空穴以同一个迁移率或扩散系数一起漂移或扩散。双极输运过程的电中性条件过剩少子的浓度等于过剩多数载流子的浓度。晶体管截止与饱和相互转换过程的4个时间段：①延迟时间；②上升时间；③存储时间；④下降时间。 低频共基极电流增益中三个因子考虑的影响：①发射极注入效率系数考虑了发射区中的少子空穴扩散电流对电流增益的影响；②基区输运系数考虑了基区中过剩少子电子的复合的影响；③复合系数考虑了正偏B-E结中的复合的影响。  重要术语解释 PN结： （1）突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。 （2）内建电势差：热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。 （3）耗尽区电容：势垒电容的另一种表达。 （4）耗尽区：空间电荷区的另一种表达。 （5）超突变结：一种为了实现特殊电容-电压特性而进行冶金结处高掺杂的pn结，其特点为pn结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降。 （6）势垒电容（结电容）：方向偏置下pn结的电容。 （7）线性缓变结：冶金结两侧的掺杂浓度可以由线性分布近似的pn结。 （8）冶金结：pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面。 （9）单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。 （10）反偏：pn结的n区相对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大小超过热平衡状态时势垒的大小。 （11）空间电荷区：冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域。 （12）空间电荷区宽度：空间电荷区延伸到p区与n区内的距离，它是掺杂浓度与外加电压的区域。 （13）变容二极管：电容随着外加电压的改变而改变的二极管。 PN结二极管： （1）雪崩击穿：电子和（或）空穴穿越空间电荷区时，与空间电荷区内原子的电子发生碰撞产生电子-空穴对，在pn结内形成一股很大的反偏电流，这个过程就称为雪崩击穿。 （2）载流子注入：外加偏压时，pn结体内载流子穿过空间电荷区进入p区或n区的过程。 （3）临界电场：发生击穿时pn结空间电荷区的最大电场强度。 （4）扩散电容：正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容。 （5）扩散电导：正偏pn结的低频小信号正弦电流与电压的比值。 （6）扩散电阻：扩散电导的倒数。 （7）正偏：p区相对于n区加正电压。此时结两侧的电势差要低于热平衡时的值。 （8）产生电流：pn结空间电荷区内由于电子-空穴对热产生效应形成的反偏电流。 （9）长二极管：电中性p区与n区的长度大于少子扩散长度的二极管。 （10）复合电流：穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn结电流。 （11）反向饱和电流：pn结体内的理想反向电流。 （12）短二极管：电中性p区与n区中至少有一个区的长度小于少子扩散长度的pn结二极管。 （13）存储时间：当pn结二极管由正偏变为反偏时，空间电荷区边缘的过剩少子浓度由稳态值变成零所用的时间。 金属半导体和半导体异质结： （1）反型异质结：掺杂剂在冶金结处变化的异质结。 （2）电子亲合规则：这个规则是指，在一个理想的异质结中，导带处的不连续性是由于两种半导体材料的电子亲合能不同引起的。 （3）异质结：两种不同的半导体材料接触形成的结。 （4）镜像力降低效应：由于电场引起的金属-半导体接触处势垒峰值降低的现象。 （5）同型异质结：掺杂剂在冶金结处不变的异质结。 （6）欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两