第02章 晶体管及基本放大电.pptVIP

第二章 晶体管及基本放大电路/2.3 动态分析/微变等效电路 第二章 晶体管及放大电路 基本内容 半导体晶体管 共射极基本放大电路 放大电路的基本分析方法 放大电路的频率特性 基本要求 1.理解并掌握晶体管的外部特性 （3个区）、判断晶体管的类型和极性。 2.掌握各种放大电路的特点和分析方法。 3.了解放大电路的频率特性。 2. 1 半导体晶体管 要求: 理解晶体管的放大原理 掌握晶体管的三个状态特点 掌握组成放大电路的外部条件 掌握晶体管的电流关系 一. 基本结构与分类 1. 内部结构 符号 2.分类 1）按材料分 2）按结构分 3）按频率分 4）按功率分 二 . 晶体管的连接方式 放大器一般为4端网络，根据公共端的不同，晶体管有三种连接方式 三. 晶体管的放大作用 （一）三个区的特点 1) 发射区是掺杂质比集电区掺杂多的 N型半导体，电子浓度很大； 2） 基区很薄，为掺杂质很少的 P 型半导体。 3） 集电极面积大，保证尽可能收集到发射区发射的电子。 （二）载流子运动规律及电流分配关系 当一个 NPN 型的晶体管接成共射极接法的放大电路时： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 晶体管共射极接法的放大电路图 1. 载流子运动规律 (a) 载流子运动