第3章单级放大.pptVIP

单级放大器 主要内容 共源放大器 CMOS放大器 源极跟随器 共栅放大器 共源共栅极 折叠式级联 分析思路 对于每一种结构，先进行直流分析，然后进行低频交流小信号分析。 分析方法一般都先采用一个简单模型进行分析，然后逐步增加一些诸如沟道调制效应、衬底效应等二阶效应的分析。 放大器的性能指标有：增益、速度、功耗、工作电压、线性、噪声、最大电压摆幅以及输入、输出阻抗等。其中的大部分性能指标之间是相互影响的，因而进行设计时必须实现多维的优化。 共源放大器 共源放大器 所谓共源放大器是指输入输出回路中都包含MOS管的源极，即输入信号从MOS管的栅极输入，而输出信号从MOS管的漏极取出。 根据放大器的负载不同，共源放大器可以分为两种形式： 无源负载共源放大器 有源负载共源放大器。 共源放大器 一、无源负载共源放大器 无源负载主要有电阻、电感与电容等。 主要讨论电阻负载与电感电容谐振负载时共源放大器的特性。 1　电阻负载共源放大器 电阻负载共源（CS）放大器结构如图所示。对于共源放大器，低频交流信号从栅极输入时，其输入阻抗很大，所以在分析时可不考虑输入阻抗的影响。 共源放大器(电阻负载）--忽略沟道调制效应 1）直流分析 根据KCL定理，由上图可列出其直流工作的方程： 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 而当VGS＞Vth时，MOS管导通，有：