第三章 电磁场中的输运现象1解析.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * 图4-12 对硅导带,电导有效质量mC 相应地有: ★ 迁移率与杂质浓度,温度的关系 或 即: μ ∝ τ ∝1/P 1/μ ∝ 1/τ ∝P 当认为半导体中各种散射彼此独立,则有: 总散射几率: P = PI+PS+PO 1/μ =1/μI+1/μS+1/μO 实际迁移率主要取决于最小的分迁移率 ? μ与温度有关 ? μ与杂质浓度有关 ?电子迁移率 空穴迁移率 Si中，不同ND下， μn~T关系 图4-14 μ~NI关系 (μ- μ+) * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第三章??? 电磁场中的输运现象 §1 载流子的漂移运动 §2 半导体的主要散射机构 §3 关于迁移率的讨论 §4 电阻率与杂质浓度和温度的关系 §5 霍耳效应 ?上一章: 平衡统计问题 ?这一章: 在外电场(以及外磁场)作用下,载流子的运动—电荷的输运问题 且主要限于: ? 温度是均匀的; ? 样品均匀