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- 2017-02-02 发布于重庆
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模拟电子技术教程0000.
模拟电子技术教程
一、绪论二、半导体二极管及其基本电路三、半导体三极管及放大电路四、场效应管放大电路五、功率放大电路六、集成电路运算放大器七、反馈放大电路八、信号的运算及处理电路九、信号产生电路十、直流稳压电源
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二、半导体二极管及其基本电路基本要求
正确理解:PN结的形成及单向导电性
熟练掌握:普通二极管、稳压二极管的外特性及主要参数
能够查阅电子器件相关手册
难点重点
1.PN结的形成
(1)当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于交界面处存在载流子浓度的差异,这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是,电子和空穴都是带电的,它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷,它们集中在P区和N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区,这就是我们所说的PN结。
图(1)浓度差使载流子发生扩散运动
(2)在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗殆尽了,因此,空间电荷区又称为耗尽层。
(3)P区一侧呈现负电荷,N区一侧呈现正电荷,因此空间电荷区出现了方向由N区指向P区的电场,由于这个电场是载流子扩散运动形成的,而不是外加电压形成的,故称为内电场。
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