CCD基本原理选编.pptVIP

按照像素排列方式的不同，可以将CCD分为线阵和面阵两大类。 （1）线阵CCD 转移次数多、效率低。只适用于像素单元较少的成像器件。 转移次数减少一半，它的总转移效率也提高为原来的两倍。 转移栅 像敏单元 CCD移位寄存器 像敏单元 转移栅 转移栅 单沟道线阵CCD 双沟道线阵CCD 线阵CCD每次扫描一条线 为了得到整个二维 图像的视频信号，就必须用扫描的方法实现。 CCD的最基本单元 MOS电容器是构成CCD 的最基本单元是，它是 金属—氧化物—半导体 （MOS）器件中结构最 为简单的。 金属电极 氧化物 半导体 MOS电容器 CCD工作过程的第一步是电荷的产生。CCD可以将入射光信号转换为电荷输出，依据的是半导体的内光电效应（也就是光生伏特效应）。 信号电荷的产生（示意图） 金属电极 氧化物 半导体 e- e- e- e- e- e- e- 光生电子 入射光 MOS电容器 CCD工作过程的第二步是信号电荷的收集，就是将入射光子激励出的电荷收集起来成为信号电荷包的过程。 2、信号电荷的存储 信号电荷的存储（示意图） e- e- 势阱 入射光 MOS电容器 +UG e- e- e- e- e- e- +Uth e- e- 势阱 入射光 MOS电容器 +UG e- e- e- e- e- e- +Uth UG Uth 时 UG Uth 时 CCD工作过程的第三步是信号电荷包的转移，就是将所收集起来的电荷包从一个像元转移到下一个像元，直到全部电荷包输出完成的过程。 3、信号电荷的传输（耦合） 一个像素 沟阻，定义了图像区的列 平面图 图示为CCD成像区的一小部分（几个像素）。图像 区中这个图案是重复的。 ① ② ③ 电荷包转移驱动脉冲 像元Pn 转移方向 像元Pn+1 像元Pn+2 CCD工作过程的第四步是电荷的检测，就是将转移到输出级的电荷转化为电流或者电压的过程。 输出类型，主要有以下三种： 1）电流输出 2）浮置栅放大器输出 3）浮置扩散放大器输出 4、信号电荷的检测 OD OS RD R SW 输出节点 衬底 输出 FET 复位 FET 相加阱 20mm 输出漏极 (OD) 输出源极 (OS) 输出管栅极 输出节点电容 R 复位漏极 (RD) 相加阱 (SW) 串行寄存器最后的几个电极 末级电极 典型 CCD 片内放大器的显微照片和片内放大器的线路图. +5V 0V -5V +10V 0V R SW Vout OS 测量过程由复位开始，复位会把前一个电荷包的电荷清除掉 。 OD RD R SW 复位 FET 相加阱 串行寄存器的末端 Vout 输出 节点 输出 FET +5V 0V -5V +10V 0V R SW Vout 电荷输送到相加阱。 此时，Vout 是参考电平。在这个期间，外部电路测量参考电平。 OD RD R SW 复位 FET 相加阱 串行寄存器的末端 Vout 输出 节点 输出 FET +5V 0V -5V +10V 0V R SW Vout 相加阱将电荷输送到输出节点电容， Vout下降到信 号电平。 OD RD R SW 复位 FET 相加阱 串行寄存器的末端 Vout 输出 节点 输出 FET +5V 0V -5V +10V 0V R SW Vout 外部电路对 Vout 进行采样，所采样的Vout电平与信号电荷包中的电荷浓度成正比。 至此，完成了信号电荷包的测量。 OD RD R SW 复位 FET 相加阱 串行寄存器的末端 Vout 输出 节点 输出 FET 背照明光输入 1电荷生成 2电荷存储 3电荷转移 复位 输出 4电荷检测 半导体 CCD传感器 基本原理 CCD的MOS结构 Ф3 P型Si 耗尽区 电荷转移方向 Ф1 Ф2 输出栅 输入栅 输入二极管 输出二极管 SiO2 CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS（金属—氧化物—半导体）电容器组成的阵列,其构造如图39所示。在P型或N型硅衬底上生长一层很薄（约120nm）的二氧化硅,再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极（栅极）,形成规则的MOS电容器阵列，再加上两端的输入及输出二极管就构成了CCD芯片。 当向SiO2表面的电极加正偏压时，P型硅衬底中形成耗尽区（势阱），耗尽