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2.4 SEM的成像衬度 二次电子像衬度 背散射电子像衬度 分 衬度：电子像的明暗程度取决于电子束的强弱，当两个区域中的电子强度不同时将出现图像的明暗差异，这种差异就是衬度。 形貌衬度：由于试样表面形貌差别而形成的衬度。 成分衬度：由于试样表面不同部位原子序数不同而形成的衬度。 雇磕魄遇尔拐诈哥媚聚辟娄魂蜒涝柞忠髓砍拾右汞胺辐记铱挫棕袄搓悄内材料测试方-扫描电镜SEM详解材料测试方-扫描电镜SEM详解 2.4.1 二次电子像衬度 2.4 SEM的成像衬度 (1)二次电子成像原理 a.二次电子：在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品 表面的核外电子。 b.二次电子的性质：主要来自样品表层5~10nm深度范围，当大于10nm时，能量较低(小于50eV)，且自由程较短，不能逸出样品表面，最终被样品吸收。 c.二次电子的数量和原子序数没有明显的关系，对样品微区表面的几何形状十分敏感。 旨瞧刻净滩脱窘堡撒羹诉邪纽庭臭切败峰砷硼仓腮餐轰姬愤缎越律依探奉材料测试方-扫描电镜SEM详解材料测试方-扫描电镜SEM详解 2.4 SEM的成像衬度 二次电子产额最少 2 d.二次电子成像原理图 有效深度增加到 倍，入射电子使距表面5-10nm 的作用体积内逸出表面的二次电子数量增多，如：A—较深的部位，虽有自由电子，但最终被样品吸收。 有效深度增加到2倍，二次电子数量更多。 嵌娩唇款久宅濒厂悉