微电子技术的主要发展方向-长江大学电子信息学院.ppt

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微电子技术的主要发展方向-长江大学电子信息学院

193nm(immersion) 光刻技术成为 Sub-100nm(90nm-32/22nm)工艺的功臣 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 新的一代曝光技术? Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ·传统的铝互联(电导率低、易加工) ·铜互连首先在0.25/0.18μm技术中使用 ·在0.13μm以后,铜互连与低介电常数绝缘材料共同使用(预测可缩到20nm) ·高速铜质接头和新型低-k介质材料,探索碳纳米管等替代材料 第二个关键技术:多层互连技术 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 器件及互连线延迟 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 1997 1999 2001 2003 2006 2009 延迟值(ns) 器件内部延迟 2厘米连线延迟 (bottom layer) 2厘米连线延迟 (top layer) 2厘米连线延迟约束 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 互连技术与器件特征尺寸的缩小 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 新型器件结构-高性能、低功耗晶体管 FinFET Nano Electronic Device 新型材料体系 SOI材料 应变硅 高K介质 金属栅电极 第三个关键技术:新器件与新材料 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Challenges to CMOS Device Scaling Electrostatics ? Double Gate - Retain gate control over channel - Minimize OFF-state drain-source leakage Transport ? High Mobility Channel - High mobility/injection velocity - High drive current for low intrinsic delay Parasitics ? Schottky S/D - Reduced extrinsic resistance 4. Gate leakage ? High-K Dielectrics - Reduced power consumption 5. Gate depletion ? Metal Gate 1 2 3 BULK 4 5 Si CMOS is expected to dominate for at least the next 10 - 15 years while scaling of traditional FETs is expected to slow in the next 5-10 years, so fin

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