第六章 半导体中的非平衡过剩载流子.pptVIP

6.4准费米能级 6.2过剩载流子的性质 6.2.2与时间有关的扩散方程 与时间有关的扩散方程 n0、p0与空间时间无关 * 6.3双极输运 双极输运 外加电场 感应内建电场 带负电的电子和带正电的空穴以同一个迁移率或扩散系数一起漂移或扩散的现象称为双极输运。 * 6.3双极输运　双极输运方程 双极输运方程的推导 与时间有关的扩散方程 * 上式乘以　　　　　下式乘以 p=p0+δp ， n=n0+δn 6.3双极输运　双极输运方程 双极输运方程（描述过剩电子和空穴在空间和时间中的状态）： 双极扩散系数 双极迁移率 * 由爱因斯坦关系： 6.3双极输运　　6.3.2掺杂与小注入 小注入条件下：P型半导体中有 小注入条件下P型半导体中可以将双极扩散系数和双极迁移率归纳为少数载流子电子的恒定参数。 双极输运方程变为具有恒定系数的线性微分方程。 小注入p型半导体双极输运方程。 * 6.3双极输运　　掺杂与小注入 小注入条件下：n型半导体中有 小注入n型半导体双极输运方程。 稳定状态： 无浓度梯度或无扩散电流： 无外加电场： 无过剩载流子产生： 无过剩载流子复合： * 无外加电场： * 6.3双极输运　双极输运方程的应用 1、无限大的均匀n型半导体，无外加电场。假设t=0时，晶体中存在浓度均匀的过剩载流子，而t0，g’=0.若假设过剩载流子浓度远小于热平衡电子浓度，即小注入状态，试计算t=0时过剩载流子浓度的时间函数。 * 6.3双极输运　双极输运方程的应用 例6.3 * 6.3双极输运　双极输运方程的应用 例6.4 * 6.3双极输运　双极输运方程的应用 * 6.3双极输运　　6.3.4介质弛豫时间常数　 介质弛豫时间常数 介质弛豫时间常数 Si：Nd=1016cm-3时，τd=0.539ps * 6.3双极输运 　　　测定试验 海恩斯－肖克莱实验---测定过剩载流子状态的实验 * 1、电源V1为n型半导体提供了+x方向的电场E0； 2、触点A向半导注入过剩载流子； 3、触点B被加上一个反偏电压V2，用于收集漂移过半导体的过剩载流子，收集到的载流子形成输出电压V0。 6.3双极输运 　　　测定试验 测迁移率和扩散系数 t1 t2 * 6.4准费米能级 平衡时 * 1、电子系统处热平衡状态时，体系具有统一的费米能级。 2、非平衡状态时 6.4准费米能级 从上述表达式可见， 和 偏离的大小直接反映了np与 相差的程度，即反映了半导体偏离热平衡状态的程度。 (1) 和 偏离大，体系处于不平衡状态； (2) 和 很接近，体系处于近乎平衡状态； (3) = ，则体系处于热平衡状态。 定义电子和空穴的准费米能级，以便用于非平衡状态。 非平衡状态下的载流子浓度： 6.4准费米能级 非平衡时 * EFn和EFp分别是电子和空穴的准费米能级。 在小注入状态下，多子电子的浓没有很大的变化，因此电子的准费米能级与热平平衡费米能级相比差别不大。少子的准费米能级与热平衡费米级相比有明显的差别，所以空穴的浓度发了很大变化。 电子浓度增加，电子的准费米能级稍微靠近导带； 空穴浓度显著增加，空穴的准费米能级更加明显地靠近价带； 6.6表面效应 表面态 1、由于表面处周期性势函数的突然中止，在整个半导体禁带中会出现允带能级分布。 2、过剩少子的寿命与缺陷状态密度成反比。 * 小 结 非平衡状态。 非平衡过剩载流子的复合和产生、载流子的寿命。 小注入。 准费米能级。 小注入条件下的双极输运方程 海恩斯－肖克莱实验 表面效应 * 本 章 作 业 * P164复习题：9 6.1 6.15 6.31 6.37 第6章 半导体中的非平衡过剩载流子  * 2014年10月 第6章 半导体中的非平衡过剩载流子 6．1载流子的产生与复合 6．2过剩载流子的性质 6．3双极输运 6．4准费米能级 *6．5过剩载流子的寿命 *6．6表面效应 * 平衡状态下产生率等于复合率 产生是电子和空穴的生成过程 复合是电子和空穴的消失过程 6.1载流子的产生与复合 6.1.1平衡半导体 * Generation rate Recombination rate 6.1载流子的产生与复合 6.1.1平衡半导体 平衡态半导体的标志就是具有统一的费米能级EF，此时的平衡载流子浓度n0和p0唯一由EF决定。平衡态非简并半导体的n0和p0乘积为 称n0p0=ni2为非简并半导体平衡态判据式。 * 质量定律 6.1载流子的产生与复合 6.1.2过剩载流子 半导体的平衡态条件并不总能成立，如果某些外界因素作用于平衡态半导体上，如图所示的一定温度下用光子能量