西南交大数字电子技术第6章.ppt

基于CMOS反相器门的多谐振荡器电路 工作波形 （2）电容放电过程 随着电容的不断放电，vI1下降，当vI1下降到VTH时，vO1跳变为高电平，vO2跳变为低电平，从而进一步拉底vI1电压（该电压受CMOS反相器内部保护电路限制），vO1保持为高电平，开始对C充电，这时进入电容充电过程。 其充放电时间为 若忽略过冲电压，则可写为： 则其谐振周期为： 若考虑CMOS反相器的门限VTH=1/2VDD，则有周期及占空比为： 6.2.2 基于施密特电路的多谐振荡器电路 * （1）电容充电过程 假设电容初始电压为0,则vI为低电平，vO为高电平并通过R为C充电。在电容充电过程中，vI不断增长，当达到VT+时，vO跳变为低电平，这时通过R对C进行放电，电路进入电容放电过程。 （2）电容放电过程 随着电容的不断放电，vI开始下降，当vI低于VT-时，vO跳变为高电平，并通过R开始向C充电，电路进入电容充电过程。 基于施密特电路的多谐振荡器电路工作波形 基于施密特电路的多谐振荡器电路工作波形 其充放电时间分别为： 可见通过R和C的调节即可改变其工作频率。振荡周期为: 6.2.3 石英晶体多谐振荡器 在一些数字电路设计中，需要稳定的频率源，如数字时钟的时钟信号频率稳定性决定着计时的准确性。 而前面用门电路构建的多谐振荡器振荡频率主要取决于电路充、放电时间，容易受到器件特性、工作环境的影响，所以频