CVD工艺简介中.docVIP

.1?LPCVD（低压CVD） ?LPCVD?工艺简介 ?LPCVD（Low?Pressure?Chemical?Vapor?Deposition?）：低压气相淀积，是在27-270Pa的反应压力下进行的化学气相淀积。它的特点是：膜的质量和均匀性好，产量高，成本低，易于实现自动化。 ?一般工艺流程：装片——进舟——对反应室抽真空——检查设备是否正常——充N2吹扫并升温——再抽真 空——保持压力稳定后开始淀积——关闭所有工艺气体，重新抽真空——回冲N2到常压——出炉。 ?Si3N4? ?????LP?Si3N4在工艺中主要作为局部氧化的掩蔽膜，电容的介质膜等。工艺最常用的隔离技术就是LOCOS化），它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中除了形成有源晶体管的区域外，其他所有重掺杂硅区上均生长一层 厚的氧化层，该厚氧化层通常称为场氧。在工艺中我们通常使用的气体是：NH3+?DCS（SiH2Cl2）。这两种气体的反应生成的Si3N4质量高，副产物少，膜厚均匀性极佳，而且是气体源便于精确控制流量，是目前国内外普遍采用的方法。 ? 反应式：?3SiH2Cl2?+?4NH3?=?Si3N4?+?6HCl?+?6H23在过量的情况下，HCl与NH3继续反应：? ?HCl+?NH3?=?NH4Cl? ???????? 合并为：?10NH3+?3SiH2Cl2?=?Si3N4?+?6H2