11章-氧化物半导体材料概要.ppt

A.无机化合物 许多无机物在半导体表面可以实现光分解： 包括：氨，叠氮化物，铬类，氰化物，卤化物，铁类，锰类，汞，硝酸盐和亚硝酸盐，一氧化氮和二氧化氮，氧气，臭氧，钯类，铂类，铑类，银类，磺酸类等。 可光催化降解的聚合物 PS-TiO2，PVC-TiO2，PP-TiO2 几种简单的氧化物和硫化物半导体有足够的带隙能量去激发或催化大量的环境污染物。如：WO3(Eg=2.8 eV), SrTiO3(Eg =3.2 eV), α-Fe2O3(Eg=3.1eV)，ZnO(Eg=3.2 eV)和ZnS (Eg = 3.6 eV)。 对于有机物降解来说，好的半导体的主要的判断标准是H2O/?OH (Eo=-2.8V)电对电势在物质的带隙内并且他们能够稳定存在。 1、ZnO 作为重要的半导体光催化剂，禁带宽度为3.2 eV，在波长小于387 nm的紫外光照射下可以产生光生电子－空穴对，表现出较高的光催化活性。 与TiO2相比，它的成本更低，因而其应用研究也日益受到人们的重视。 粒径为5-12 nm的纳米ZnO，在紫外光照射下可以降解三氯乙烯，且其光活性远远大于亚微米的ZnO。 ZnO看起来是TiO2合适的替代物，然而ZnO分散后表面会产生Zn(OH)2，这样时间一长会导致催化剂失活。 2、其他金属氧化物 氧化铁(α-Fe2O3，α-FeOOH，β-FeOOH，γ-FeOOH，δ-FeOOH