040203半导体器件基础讲解.ppt

复习 1、二极管的等效模型 理想模型 UD+－UD－0，二极管导通，等效为导线； UD+－UD－≤0，二极管截止，等效为断路。 恒压降模型 UD+－UD－≥UF，二极管导通，等效为UF恒压源； UD+－UD－UF，二极管截止，等效为断路。 折线模型 UD+－UD－≥Uth，二极管导通，等效为Uth恒压源串联电阻； UD+－UD－Uth，二极管截止，等效为断路。 2、二极管的工作状态判定方法 假设二极管断开，然后求得二极管正极和负极之间的电压。如该电压大于导通电压，则说明该二极管导通，两端的实际电压为二极管的导通电压；如果该电压小于导通电压，则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的各物理量。 双极型三极管通常简称为晶体三极管，也称为晶体管或三极管。 课后作业 第2章习题 P55 2-4(a)(c)、2-6、2-11、2-13 课后作业下一周小课交 2.5.3 三极管的特性曲线 UBE UCE iC iB P N N 晶体三极管特性测试电路 重点 UBE(V) iB(mA) 80 20 40 60 0.2 0.4 0.6 0.8 0 1. 输入特性曲线 = 常数 = CE ) ( BE B U U f i UCE=0V UCE≥ 1V (1) UCE = 0，相当于二极管的正向特性 (3) UCE 1V后， UCE?， iC基本不变， iB亦基本不变 (2) UCE = 1V，曲线右移（原因是集电结反偏， iE 大部分被拉到集电区， iB? ） ? 工程上UCE = 1V的曲线即可代表UCE 1V的情况。 特点： 120(?A) 160(?A) 200(?A) 放 大 区 3 1 2 4 iC(mA) O 1 2 3 4 5 6 uCE(V) 截止区 ICE0 饱和区 　放大区的特点： 　1.发射结正偏 　　集电结反偏 　2.具有恒流特性 　3.基极电流对集 　电极电流的控制 　作用。 iB=0 (?A) 40(?A) iB= 80(?A) 饱和区的特点： 1.发射结正偏 　　集电结正偏 2.发射结正偏 　　集电结零偏 　　为临界饱和 　3.基极电流对集 　　电极电流失 　　去控制作用 　4. UCE增大时， 　　IC迅速增大 　 截止区的特点： 　1. IB≤0 (如发射结反偏或零偏，集电结 反偏) 　2. 三极管失去放大作用 2. 输出特性曲线 截止区： IB≤ 0以下部分为截止区，发射结零偏或反偏， 集电结反偏，IC = ICEO ≈ 0，管子c、e间如同断开 饱和区：输出特性的上升和弯曲部分,发射结正偏，集电结正偏(或零偏),管子c、e间如同短接，? IB IC , UCE = UCES = 0.3V(硅) /= 0.1V(锗) 放大区：(线性区) 平坦部分　发射结正偏，集电结反偏 IC =? IB UBE=0.7V(硅管)/0.2v(锗管) uCE=uBE 1、在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如图。试判断各晶体管的类型（是NPN管还是PNP管，是硅管还锗管），并区分e、b、c三个电极。 5V 1.7V 1V 6.7V 7V 3V ?6V ?1.2V ?1V (a) (b) (c) (3) (1) (2) (3) (1) (2) (3) (1) (2) 思考题 略讲 3、稳压二极管工作在反向击穿区 第2章 半导体器件基础 2.5 双极型晶体管 教学要求 　　1、理解三极管各极电流间的关系和电流 放大作用。 　　2、掌握三极管用于放大时的加电原则， 并会判断电压极性加得对不对。 3、理解三极管的特性曲线，掌握输出特 性曲线三个区域的特点。 4、了解三极管的主要参数。 2.5.1 双极型三极管的分类及结构 2.5.1 双极型三极管的分类及结构 BJT按照制造材料分为锗管和硅管；按照工作频率分为低频管和高频管；按照允许耗散的功率大小分为小功率管、中功率管和大功率管。 小功率管 中功率管 大功率管 双极型三极管的结构示意图及其符号 P N N c 集电极 e 发射极 1、三个区、两个结、三个电极 下图是NPN管的结构及符号 2、符号中的箭头表示三极管导通时的电流方向 b e c 基极 b 集电区 集电结 基区 发射区 发射结 双极型三极管的结构示意图及其符号 N P P c 集电极 e 发射极 1、三个区、两个结、三个电极 下图是PNP管的结构及符号 2、符号中的箭头表示三极管导通时的电流方向 b e c 基极 b 集电区 集电结 基区 发射区 发射结 初学者可以根据三极管符号中的箭头 1）分清电极：带箭头的是发射极，箭头