1第一章半导体器件n概要.ppt

第四节 晶 体 管 二、 电流分配与放大原理 2、晶体管内部载流子的传输过程 （1）发射区向基区扩散自由电子 EB RB RC EC IEP IE IEN 发射结正偏，多数载流子（自由电子）的扩散运动加强； 发射区自由电子不断扩散到基区形成电流IEN； 基区空穴扩散到发射区形成电流IEP； 由于基区掺杂浓度很低，空穴电流很小，IE≈IEN； 第四节 晶 体 管 二、 电流分配与放大原理 EB RB RC EC （2）自由电子在基区扩散和复合 发射结自由电子浓度很高，继续向集电结方向扩散； 扩散过程中，自由电子与空穴复合。 IBE 电源VB的作用下，自由电子与空穴的复合运动不断进行，形成电流IBE； 希望复合掉的自由电子越少越好，所以基区要做得薄，且掺杂浓度低（放大得内部条件）； IB IB≈IBE 第四节 晶 体 管 二、 电流分配与放大原理 （3）集电区收集从发射区扩散过来得自由电子 集电结反偏，内部电场加强，促进少数载流子的漂移运动，从发射区扩散到基区的自由电子在集电结电场的作用下漂移到集电区，形成电流 ICE ； ICE IC ICBO （4）集电结的反向饱和电流 IC≈ICE 内电场加强，漂移运动加强，少数载流子的运动，形成电流 ICBO