采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管.docVIP

采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管 詹润泽 1? ，谢汉萍 1，董承远 1 上海交通大学电子工程系，TFT-LCD 关键材料与技术国家重点工程实验室，上海，200240 摘 要：采用透明材料 ITO 和 AZO 为源漏电极，在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底 栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现，制备的薄膜晶体管表现出了良好的开关 特性。其中采用 AZO 为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为 1.95 cm2/Vs，开关比为 ×105，在正向偏压应力测试下，阈值电压的漂移量为 4.49 V。 关 键 词：薄膜晶体管，透明电极，非晶铟镓锌氧化物 Amorphous InGaZnO thin film transistors with different transparent electrodes Zhan Runze1, Shieh Hanping1, Dong Chengyuan1 Dept. of Electronic Engineering and National Engineering Lab for TFT-LCD Materials and Technologies, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China Abstract Amorphous InGaZnO thin