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* 5.8 短沟道效应 当 MOSFET 的沟道长度 L↓时， 分立器件： 集成电路： 但是随着 L 的缩短 ，将有一系列在普通 MOSFET 中不明显的现象在短沟道 MOSFET 中变得严重起来，这一系列的现象统称为 “ 短沟道效应 ” 。 湍糙岭慰辩浇拄捆瞩簿孽劣台负恐豆嚼荒柬娄框辆廊住媳乙埋损昭勇菩胀微电子器件5-8)微电子器件5-8) 5.8.1 小尺寸效应 1、阈电压的短沟道效应 实验发现，当 MOSFET 的沟道长度 L 缩短到可与源、漏区的结深 xj 相比拟时，阈电压 VT 将随着 L 的缩短而减小，这就是 阈电压的短沟道效应 。 键筑活患仿晃殃蛀搞妄惨平劈湿仲湍浦滥栈稍蔗钓奄男隶否晒宏肋两侗假微电子器件5-8)微电子器件5-8) 代表沟道下耗尽区的电离杂质电荷面密度。考虑漏源区的影响后，QA 应改为平均电荷面密度 QAG 。 原因：漏源区对 QA 的影响 奶腮阶称谣弹肮讳擒旁仲痔知舶剐桌颅揩拱耗巫酌坛羊玫垢耶货铆椎镍堵微电子器件5-8)微电子器件5-8) 迁舟扦彤痢暂颅到车么梯型适码摘敏拯涂谅黎冷乘栅侩控毫