原创力文档N阱CMOS薄膜工艺概要
《微电子技术综合实践》设计报告
题目： N阱CMOS芯片薄膜工艺设计
院系： 自动化学院电子工程系
专业班级：
学生学号：
学生姓名：
指导教师姓名：
成绩：
题目一：n阱CMOS芯片制作工艺设计
一．设计指标要求
1. 特性指标要求：
n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn取600cm2/V·s）
p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率fmax≥1GHz（迁移率μp取220cm2/V·s）
2. 结构参数参考值：
p型硅衬底的电阻率为50 ((cm；
n阱CMOS
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