【2017年整理】半导体物理学3.doc

Chapter 9 异质结器件(heterojunction devices) 9.1 异质结的概念 在电子工业中Si不是唯一使用的半导体。除了周期表中四族元素和它们的化合物（Si 、Ge、 C、 SiC和 SiGe）外，还有利用III族和V族合成的所有半导体，如GaAs、InP、GaxAl1-xAs等。此外，还能利用周期表中其它族元素制备半导体，如CdS和HgCdTe。 表征这些材料电学性质的主要参数是能隙宽度。图9.1显示了Si、Ge和不同III-V化合物的带隙能。利用三元或四元化合物如 GaxAl1-xAs和GaxIn1-xAsyP1-y可以获得任意带隙能值。在制备材料的过程中通过修正系数x和y可以得到想要的带隙能。 由两种不同半导体构成的PN结称为异质结（heterojunction）。 这种异质结最特殊的特征是P型和N型区域有不同的带隙。只包含一种半导体的结(如经典的Si PN结)称为同质结(homojunction)。 9.1.1 能带图(energy band diagram) 与同质结相比，，由于存在具有不同带隙能的两种材料，因此在异质结的能带图中很难引入附加能级。在单一器件中结合不同材料和裁剪能带形状去获得不可能获得的性质的技术通常称为能带工程(bandgap engineering)。 考虑图9.2的例子，此图举例说明了异质结能带图是怎样画出来的。两种不同半导体材料被结合在一起。半导体＃1是P型，其能隙、功函数和电子亲和力分别为、和。功函数是真空能级和费米能级之间的能量差；它代表要将一个具有能量的电子从半导体中移出所需要的能量。电子亲和力是将导带中一个电子移到真空能级所需要的能量，与前面5.1.1节中解释的一样。类似地，我们设想半导体＃2是N型，其能隙、功函数和电子亲和力分别为、和。 绘制能带图的步骤如下： 在平衡条件下，两种半导体中费米能级是相等的、不变的。远离结的地方，半导体材料是中性的，能带图类似于当两种材料分开时的情形。 在中性区域功函数和仍旧不变。这使我们能够画出远离结的区域的真空能级。 两种半导体材料的真空能级通过光滑的连续曲线连接。就目前而言，曲线的精确形状是未知的，后面将对其进行计算。但是，一个好的想法是假设它有类似于同质结转变区域中能带弯曲的形状。真空能级仅在转变区域范围内，即-x1和x2之间发生弯曲。 在结形成过程中，由于，电子从N型半导体向P型半导体扩散，空穴沿相反方向从P型半导体向N型半导体扩散。由此形成的电荷分布引起一个扩散区域、一个内部结电势，进而是能带弯曲。这一弯曲与真空能级弯曲平行。电子亲和力和在转变区域保持不变，这可以让我们画出转变区域中的、、和。 最后，在冶金结合面(x=0)处，利用垂直线段把价带（和）和导带（和）能级连接。这一特征构成所谓的能带不连续性（band discontinuity）。 结电势由下式给出： （9.1.1） 其中和分别为半导体＃1和＃2能带弯曲度。 由于和都与真空能级平行，所以冶金结合面处的能带不连续。这种不连续等于： (9.1.2) (9.1.3) 两个能带的不连续之和等于两个半导体之间的能隙差异： (9.1.4) 在转变区域中能带的精确弯曲度可以通过求解两个半导体中的泊松方程以及利用耗尽近似来获得。 半导体＃1 半导体＃2 P型，掺杂浓度＝ N型，掺杂浓度＝ 介电常数 介电常数 耗尽区域宽度＝ 耗尽区域宽度＝ 对泊松方程积分，可计算出电场： 在冶金结合面() 处，利用高斯定理可得： （9.1.5） 这表示转变区域（）中的电中性。 对泊松方程第二次积分可得到电势： 能带弯曲： 后面两个方程之和等于结电势 ：