【2017年整理】半导体的导电特性.docVIP

自然界的各种物质就其导电性能来说，可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。　　半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗等，它们的电阻率通常在之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。如纯净的半导体单晶硅在室温下电阻率约为 ，若按百万分之一的比例掺入少量杂质（如磷）后，其电阻率急剧下降为 ，几乎降低了一百万倍。半导体具有这种性能的根本原因在于半导体原子结构的特殊性。 　　　　1.1.1　本征半导体 图1.1.1 硅原子的简化模型 　　常用的半导体材料是单晶硅（Si）和单晶锗（Ge）。所谓单晶，是指整块晶体中的原子按一定规则整齐地排列着的晶体。非常纯净的单晶半导体称为本征半导体。 1.本征半导体的原子结构 　　半导体锗和硅都是四价元素，其原子结构示意图如图1.1.1所示。它们的最外层都有4个电子，带4个单位负电荷。通常把原子核和内层电子看作一个整体，称为惯性核。惯性核带有4个单位正电荷，最外层有4个价电子带有4个单位负电荷，因此，整个原子为电中性。 2.本征激发　　在本征半导体的晶体结构中，每一个原子与相邻的四个原子结合。每一个原子的价电子与另一个原子的一个价电子组成一个电子对。这对价电子是每两个相邻原子共有的，它们把相邻原子结合在一起，构成所谓共价键的结构，如图1.1.2所示。 图　1.1.2 本征硅共价键结构 　　一般来说，共价键中的价电子不完全象绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定的能量（如光照、升温、电磁场激发等），一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为自由电子，将这种物理现象称作为本征激发。　　理论和实验表明：在常温（T＝300K）下，硅共价键中的价电子只要获得大于电离能EG（＝1.1eV）的能量便可激发成为自由电子。本征锗的电离能更小，只有0.72eV。　　当共价键中的一个价电子受激发挣脱原子核的束缚成为自由电子的同时，在共价键中便留下了一个空位子，称“空穴”。当空穴出现时，相邻原子的价电子比较容易离开它所在的共价键而填补到这个空穴中来使该价电子原来所在共价键中出现一个新的空穴，这个空穴又可能被相邻原子的价电子填补，再出现新的空穴。价电子填补空穴的这种运动无论在形式上还是效果上都相当于带正电荷的空穴在运动，且运动方向与价电子运动方向相反。为了区别于自由电子的运动，把这种运动称为空穴运动，并把空穴看成是一种带正电荷的载流子。　　在本征半导体内部自由电子与空穴总是成对出现的，因此将它们称作为电子-空穴对。当自由电子在运动过程中遇到空穴时可能会填充进去从而恢复一个共价键，与此同时消失一个“电子-空穴”对，这一相反过程称为复合。　　在一定温度条件下，产生的“电子—空穴对”和复合的“电子—空穴对”数量相等时，形成相对平衡，这种相对平衡属于动态平衡，达到动态平衡时，“电子-空穴对”维持一定的数目。　　可见，在半导体中存在着自由电子和空穴两种载流子，而金属导体中只有自由电子一种载流子，这也是半导体与导体导电方式的不同之处。　　 [1] [2] 第5章 字符串 我们一直在使用字符串，C#System.String是一个类，专门用于存储字符串，允许对字符串进行许多操作。由于这种数据类型非常重要，C#提供了它自己的关键字和相关的语法，以便于使用这个类来处理字符串。 使用运算符重载可以连接字符串： string message1 = Hello;? //return Hello message1 += , There;??? // return Hello, There string message2 = message1 + !;???? // return Hello, There! C#还允许使用类似于索引器的语法来提取指定的字符： char char4 = message[4];?? // returns a. Note the char is zero-indexed 这个类可以完成许多常见的任务，例如替换字符、删除空白和把字母变成大写形式等。可用的方法如表所示。 方??? 法 作?? ?用 Compare 比较字符串的内容，考虑文化背景(区域)，确定某些字符是否相等 CompareOrdinal 与Compare一样，但不考虑文化背景 Concat 把多个字符串实例合并为一个实例 CopyTo 把特定数量的字符从选定的下标复制到数组的一个全新实例中 Format 格式化包含各种值的字符串和如何格式化每个值的说明符 IndexOf 定位字符串中第一次出现某个给定子字符串或字符的位置 IndexOfAny 定位字符串中第一次出现某个字符或一组字符的位置 Insert 把一个字符串实例插入到另一个字符串实例的指