【2017年整理】半导体部分名词解释.docVIP

单电子近似：即假设每个电子是周期性排列且在固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动。该势场是具有与晶格同周期的周期势场。 电子共有化运动：电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去。因而电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。电子的共有化运动只发生在能量相同的壳层，其中最外层电子的公有化运动最显著。 电子在晶体内的共有化运动：晶体中电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其它晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动。这种运动称为电子在晶体内的共有化运动。 准自由电子：组成晶体的原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子近似，称为准自由电子。 本征激发：价带上的电子激发成为准自由电子。亦即价带电子激发成为导带电子的过程称为本征激发。 有效质量的意义：它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。 间隙式杂质：杂质原子进入半导体后，杂质原子位于晶格原子间的间隙位置称为间隙式杂质。通常外来杂质半径臂、比原晶格原子半径小很多。 替位式杂质：杂志原子进入半导体后，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，常称为替位式杂质。通常外来杂质半径与原晶格原子半径大小比较相近。 杂质电离：电子脱离杂志电子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离。 施主电离：施主杂质释放电子的过程叫做施主电离。 受主电离：空穴挣脱受主杂志束缚的过程称为受主电离。 施主杂质：杂质电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。 n型半导体：通常把主要依靠导带电子导电的半导体称为电子型或n型半导体。 受主杂质：杂质在纯净半导体中能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称它们为受主杂质或p型杂质。 施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级。 受主能级：被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 杂质的补偿作用：如果在半导体中，同时存在着施主和受主杂质，半导体是n型还是p型主要看哪一种杂质浓度大。因为施主和受主杂质之间有相互抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。 等电子杂质效应：在某些半导体中，如磷化镓中掺入V族元素氮或铋，氮或铋将取代磷并在禁带中产生能级，这个能级称为等电子陷阱，这种效应称为等电子杂质效应。 热平衡载流子：半导体中的导电电子的浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 漂移运动：有外加电场时，导体内部的自由电子受到电场力的作用，沿着电场的反方向作定向运动构成电流。电子在电场作用下的这种运动称为漂移运功。定向运动的速冻称为漂移速度。 散射：载流子在半导体中运动时，便会不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生作用，或者说发生碰撞。碰撞后的载流子速度的大小和方向发生了改变，用波的概念就说电子波在半导体中传播时遭到了散射。 自由载流子：所谓载流子，实际上只在两次散射之间才真正是自由运动的，其连续两次散射自由运动的平均路程称为平均自由程。而平均时间称为平均自由时间。 半导体的主要散射机构：1电力杂质的散射2晶格振动的散射：声学波和光学波的散射3其它因素引起的散射：等同的能谷间散射、中性杂质散射、位错散射、合金散射、载流子之间的散射 耿氏效应：在n型砷化镓的两端电极上加以电压。当半导体内电场超过3×103V/cm时，半导体的电流便以很高的频率振荡，振荡频率约为0.47~6.5GHZ。这个效应称为耿氏效应。 光注入：用光照使得半导体内部产生非平衡载流子的方法，称为非平衡载流子的光注入。 非平衡载流子的复合：产生非平衡载流子的外部作用撤除后，由于半导体的内部作用，使它由非平衡态恢复到平衡态，过剩载流子逐渐消失，这一过程称为非平衡载流子的复合。 准费米能级：当半导体的平衡遭到破坏时，而存在非平衡载流子，从而引入导带费米能级和价带费米能级。它们都是局部的费密能级称为准费米能级。 直接复合：电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合过程就是直接复合。 间接复合：电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合的过程就是间接复合。 俄歇复合：载流子从高能级向低能级跃迁，发生电子空穴复合时，把多余的能量传给另一个载流子，使这个载流子激发到能量更高的能级上去。当它重新跃迁回低能级时，多余的能量常以声子形式放出。这种复合称为俄歇复合。 第5章 字符串 我们一直在使用字符串，C#System.String是一个类，专门用于存储字符串，允许对字符串进行许多操作。由于这种数据类型非常重要，C#提供了它自己的关键字和相关的语法，以便于使用这个类来处理字符串。 使用运算符重载可以连接字符串： string message1 = Hello;? //re