【2017年整理】电力电子复习大纲.docVIP

第2章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在开关_状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按能被控制电路信号所控制的程度，电力电子器件可分为_不可控器件_ 、 _半控型器件_ 、_全控型器件_三类。 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管_，属于半控型器件的是_晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下，器件优点、缺点 IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉 冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小；开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动；所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场 合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小；关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 电 力 MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性 好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题；电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 6.晶闸管在额定情况下的有效值电流为ITn等于_ 1.57 _ 倍IT（AV），如果IT（AV）=100安培， 则它允许的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管时还要留出1.5 —2 倍的裕量。 晶闸管的导通条件和关断条件。 （1）阳极和门极承受正向电压 （2）阳极承受反向电压或阳极电流降到接近零的某一数值以下。 第2章 整流电路 1. 单相半波可控整流电路中 电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180o_。晶闸管承受的最大反向电压为 U2 。 阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180o _ ，其承受的最大正反向电压均为_U2__，续流二极管承受的最大反向电压为_U2__（设U2为相电压有效值）。晶闸管的导通角等于Л-α，续流二极管的导通等于Л+α。 2.单相桥式全控整流电路中 纯电阻负载时，α角移相范围为_0-180o_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_U2_ 和U2_；晶闸管的导通角=Л-α 阻感负载时，α角移相范围为_0-90o _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_U2__和_U2__；晶闸管的导通角与α无关，为Л-。 带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。当控制角α大于停止导电角?时，晶闸管的导通角?=_π-α-??。 　 3.三相半波可控整流电路中（3.2.1） 三相半波可控整流电路的自然换相点是本相相电压与相邻相电压正半周的交点。 三只晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _。 电阻性负载时，晶闸管所承受的最大正向电压为_U2__，晶闸管承受的最大反向电压为_U2_(U2为相电压有效值)。晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流处于连续和断续的临界状态的条件为__α=30o _。波形连续时， 阻感负载时，?角的移相范围是_0-90o,_，?。 4、三相桥式全控整流电路中（3.2.2） 共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；六只晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_60o _，同一相上下两