【2017年整理】电工与电子技术2.docVIP

14.1.1 电子导电和夺穴导电有什么区别？空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的？ 解：电子导电是自由电了在外电场作用下定向运动，携带负电荷导电，运动方向与电流方向相反；空穴导电则是由被原子核束缚的价电子在共价键之间递补空穴，在外电场作用下形成空穴的定向运动，携带正电荷导电，运动方向与电流方向相同。 空穴导电是半导体所特有的，不是自由屯子递补空穴所形成的，而是价电子递补空穴形成的，空穴参与导电，其数量不减 14.1.3 N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？ 解：N型半导体中五价杂质原子的一个价电子被挤入更外层而挣脱原子核束缚成为自由电子时，该杂质原子便失去一个电子而成为带正电的离子。 P型半导体三阶的杂质原子共价键上空位被填补，在相邻半导体原子上形成一个带正电的空穴，但该杂质原子则多一个价电子，从而成为带负电的离子。 不论N型、P型半导体，多数载流子浓度远远高于少数载流子，但电荷量平衡，整体不带电。 14.3.1 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的 死区电压的典型值约为多少？ 解：当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出 现死区电压的原因是由于PI\I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0. 5v和0.1V。 14.3.2 为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？ 解：反向电流达到饱和，不随外加电压（反向电压）变化。这是因为反向饱和电流是由少数载流子漂移运动形成，少于的数量很小，稍加反向电压便全部漂移过去。当温度升高时，本征激发增加，少子增多，反向饱和电流也增大。14.3.4 怎样用万用电表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏？解：万用表表头正极（红色）是内部电池的负极，而表头的负极（黑色）是电池的正极。若测得二极管为较小正向电阻，则黑笔所触及的是二极管正极，红笔所触及的是二极管负极。相比之下，若测得的正向电阻较小，而反向电阻很大，则该二极管是好的。若测是正、反向电阻均接近于0，则二极管已击穿损坏。若正、反向电阻均为无穷大，则二极管已断路。 14.5.3 晶体管具有电流放大作用，其外部条件和内部条件各为什么？ 解：内部结构条件——发射区高掺杂，其中多数载流子浓度很高，基区很薄，且低掺杂，则基区中多子的浓度很低； 外部条件——外加电源极性应使发射结正向偏置，集电结反向偏置即使“Uc UbUe-最大整流电流Iom 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 反向工作峰值电压Urwm 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压CBR的一半或三分 反向峰值电流Irm 是指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IR、，受温度的影响大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍 15.3.9 通常希望放大电路的输入电阻高一些好，还是低一些好？对输出电阻呢？放大电路的带负载能力是指什么？ 解：输入电阻高一些好而输出电阻则低一些好，因为前者可使信号源内阻损失降低，信号得到有效放大，而后者可使信号有效输出。带负载能力是指供给负载的电流和功率大小，输出电阻愈小，则带负载能力愈强。放大电路的三个性能指标：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻什么是输入电阻、输出电阻？放大电路的输入端用一个等效电阻表示，为输入电阻，是信号源的负载；放大电路的输出端用一个电压源表示，是负载电阻的电源，其内阻就是输出电阻 主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。 1因输入电阻高，它常被用在多级放大电路的输入级，以提高整个放大电路的输入电阻，减小对前级信号源的影响。 2因输出电阻低，它常被用在多级放大电路的输出级，可以降低输出电阻，提高整个放大电路的带负载能力。 3利用ri大、，r0小以及Au~1的特点，也可将射极输出器放在放大电路的两级之间，起到阻抗匹配作用，这一级射级输出器成为缓冲级或中间隔离级。 15.6.2 射极输出器有何特点？有何用途？ 解：它的突出特点为： (l)电压放大倍数接近于1．输出电压与输入电压同相； (2)输入电阻高； (3)输出电阻低。 用途：在多级放大电路中，用它作为输入级，可使放大电路具有较高的输入电阻，用它作输出极，可使放大电路具有较高的带负载能力，这就是射极输出器的阻抗变换作用。 16 1 l 什么是理想运算放