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《先进陶瓷材料及进展》第8章铁电压电陶瓷讲解
晶体具有压电性的必要条件是晶体不具有对称中心。 所有铁电单晶都具有压电效应。 对于铁电陶瓷来说,虽然各晶粒都有较强的压电效应,但由于晶粒和电畴分布无一定规则,各方向几率相同,使ΣP =0,因而不显示压电效应,故必须经过人工预极化处理,使ΣP ≠0,才能对外显示压电效应。 陶瓷的压电效应来源于材料本身的铁电性,所有压电陶瓷也应是铁电陶瓷。 压电材料分类: 压电单晶 压电陶瓷 压电聚合物 压电复合材料 压电陶瓷的晶体结构: 1. 钙钛矿结构 2. 钨青铜型结构 3. 铌酸锂型结构 4. 铋层状结构 1. 钙钛矿结构 2. 钨青铜型结构 3. 铌酸锂型结构 4. 铋层状结构 BaTiO3系与PbTiO3系压电陶瓷 自从1842~1843年之间美、日、苏联学者各自独立发现BaTiO3 中存在异常的介电现象,1847年又发现预极化后的BaTiO3陶瓷的压电性能,并制成压电元件用于拾音器、换能器; 二战期间, BaTiO3成功用于水声及电声换能器、通讯滤波器上,在很长的一段时间内,BaTiO3陶瓷是主要的压电陶瓷材料,但目前其作用范围在不断缩小。 PbNb2O6 钨青铜结构 Tc高(570℃) 压电系数的各向异性大,d33/d31≈10 机械品质因素特别低(Q≈11) 主要用于超声缺陷检测、人体超身诊断及水听器等 铅基二元系压电陶瓷 人们在1853年起开始试制成功PbZrO3-PbTiO3二元系固溶体压电陶瓷,其各项压电性能和温度稳定性等均大大优于BaTiO3、PbTiO3压电陶瓷,因此得到了广泛的应用。如水声、电声和通讯滤波器件中。 下面主要介绍二元系压电陶瓷PZT系陶瓷。 PbZrO3-PbTiO3系陶瓷的相结构 ?? PbZrO3和PbTiO3的结构特点比较: PbZrO3 PbTiO3 结构 钙钛矿结构 钙钛矿结构 Tc (立方顺电) 230℃(正交晶系) 480℃ 类别 反铁电体 铁电体 Tc c/a1(0.881, 正交) c/a1(1.063) Tc 立方顺电相 PbZrO3和PbTiO3的结构相同,Zr4+与Ti4+的半径相近,故两者可形成无限固溶体,可表示为Pb(ZrxTi1-x)O3,简称PZT瓷。 PZT瓷的掺杂改性: 为了满足不同的使用目的,我们需要具有各种性能的PZT压电陶瓷,为此我们可以添加不同的离子来取代A位的Pb2+离子或B位的Zr4+,Ti4+离子,从而改进材料的性能。 a. 等价A位取代 等价取代是指用Ca2+、Sr2+、Mg2+ 等二价离子取代Pb2+,结果使PZT瓷的ε↑,KP ↑,d↑,从而提高PZT瓷的压电性能。 b.? 软性取代改性(高价缺位取代) 所谓“软”是指加入这些添加物后能使矫顽场强EC ↓ ,因而在电场或应力作用下,材料性质变“软”。 软性取代采用La3+ 、Bi3+、Sb3+ 等取代A位Pb2+离子或Nb5+、Ta5+、Sb5+、W6+等取代B位的Zr4+、Ti4+离子。经取代改性后的PZT瓷性能有如下变化: c. 硬性取代改性(低价取代) 硬性取代采用K+,Na+取代A位的Pb2+离子,Fe2+、Co2+、Mn2+(或Fe3+、Co3+、Mn3+)、Ni2+、Mg2+、Al3+、Ga3+、In3+、Cr3+ 等离子取代B位的Ti4+,Zr4+离子。 取代后Ec ↑,极化变难,性质变“硬”。 作用:Ec ↑ 、ε↓、KP ↓ 、tgσ ↓ 、Qm ↑ (抗老化性↓ )、ρv ↓ 硬性添加剂加入后极化困难,只有在高温下预极化,但T ↑时ρv ↓ ,这就使预极化场强不能太高,从而Ps ↓这是K P ↓ 的一个原因。 硬性添加剂加入后形成 ,由于 不可能很多,否则将破坏钙钛矿结构(氧八面体共顶点形成骨架),因而硬性添加剂固溶度有限,多余部分向晶界偏析,可抑制晶粒生长,使晶粒细化,材料致密,从而Qm ↑ 。 ???? d 软硬兼施 PZT中加入W(软)、Mn(硬)可使KP ↑ 、 Qm ↑,软硬兼优; 加Nb2O5(软)、Al2O3(硬) 软硬抵消 三元系铅基压电陶瓷 a、所谓三元系压
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