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薄膜材料简介 1.薄膜材料：应用领域：材料科学、能源、信息 、微电子工业等;尤其宽禁带半导体光电功能材料，已成为各国研究的重点。 研究目的：利用新材料制备具有最佳性能的器件提高 生产率，降低成本; 发展方向：透明导电薄膜、具有低电阻、 高透射率等 可作为透明导电窗口。 2.什么是透明导电膜 透明导电膜(TCO)目前最主要的应用是ITO膜,还有其他AZO等，ITO 薄膜是一种半导体透明薄膜, 它是氧化铟锡英文名称的缩写。有学者将氧化铟系列( In2O22SnO2) 也称之为ITO 薄膜。作为透明导电电极, 要求ITO 薄膜有良好的透明性和导电性。所以, 此类材料的禁带宽度E g 一般都大于3 eV , 其掺杂组分要偏离化学计量比。ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学汽相沉积、热解喷涂等, 但使用最多的是反应磁控溅射法[ 1, 2 ]。与其它透明导电薄膜相比, ITO 薄膜具有良好的化学稳定性、热稳定性以及良好的图形加工特性。我们发现经过铯化处理的ITO 薄膜具有光电发射效应。其光电发射稳定, 有1. 71 ua/lm 的积分灵敏度, 寿命达千小时以上。这种ITO 薄膜的光电发射对于研制大面积的光电器件、平板显示器件会有较大的促进作用。 3. 透明导电膜的历史 1907年最早使用CdO材料为透明导电镀膜，应用在photovoltaic cells。 1940年代，以Spray Pyrolysis及CVD 方式沉积SnOx于玻璃基板上。 1970年代，以Evaporation 及Sputtering 方式沉积InOx及ITO。 1980年代，磁控溅镀﹙magnetron sputtering﹚开发，使低温沉膜制程，不论在玻璃及塑胶基板均能达到低面阻值、高透性ITO薄膜。 1990年代，具有导电性之TCO陶瓷靶材开发，使用DC 磁控溅镀ITO，使沉积制程之控制更加容易，各式TCO材料开始广泛被应用。 2000年代，主要的透明导电性应用以ITO 材料为主，磁控溅镀ITO成为市场上制程的主流。 4.透明导电膜的两大系 透明导电膜是既有高的导电性，又对可见光有很好的透光性，而对红外光有较高反射性的薄膜。透明导电膜主要有金属膜和氧化物半导体膜两大类。 金属透明导电薄膜 当金属膜的厚度在约20nm以下时对光的反射和吸收都较小。由于金属薄膜中存在自由电子，因此在膜很薄时也具有很好的导电性，且在基片温度较低时就可制备出低电阻膜。常见的金属透明导电膜有金、银、铜、铝、铬等。为了制备平滑连续的膜，需要先镀一层氧化物做衬底，再镀金属膜。金属膜的强度较低，其上面常要再镀一层保护层如SiO2或Al2O3等。 （2）氧化物半导体透明导电膜 这类导电膜主要有SnO2、In2O3、ZnO、CdO、Cd2SnO4等，它们都是n型半导体。对这种导电膜要求禁带宽度在约3eV以上，且通过掺杂可使其具有高的载流子浓度以得到高的导电率。目前，应用最广泛的是SnO2和In2O3薄膜。作为半导体材料，化学计理比的SnO2膜电导率很低，为增加电导率需要加入一些高价离子如Sb5+、P5+等。这样得到的膜导电性好，对可见光有优异的透光性，强度和化学稳定性都很好，加之成体低，因而得到广泛应用。根据不同要求可采用CVD、PVD乃至喷涂法来制备。 经过掺杂的In2O3的透光性和导电性均优于SnO2，因而近年来得到比SnO2更为广泛的应用。化学计量比的In2O3膜，其电导率也很低，为增加电导率需要添加一些锡，通常将这种膜称为ITO（铟锡氧化物）薄膜，主要是用真空蒸镀或溅射等PVD法来制备，以在较低温度得到高性能膜。 5. 透明导电膜的用途 透明导电膜（主要是SnO2和ITO）具有很广泛的用途，例如用于液晶显示器件及太阳能电池的透明电极，由于对红外线具有反射能力而被用作防红外线膜、太阳能集热器的选择性透射膜、玻璃上的防霜透明发热膜等。 1. SnO2透明导电薄膜 （1）工艺特点 利用超声雾化热解淀积工艺，将SnO2:F透明导电薄膜制备于耐高温的衬底之上。本工艺突出的优点是：所需设备简单，工艺周期短，原材料价格低廉，可制备出与物理淀积方法性能相当的高质量薄膜，尤其可将SnO2:F透明导电薄膜均匀地制备于管状衬底的内壁。 （2）透明电热膜的性能特点 ?电热转换效率高、节能省电 ?寿命长、不易损坏 ?外观选择性强、适用范围广 ?热惯性小 ?无明火、安全可靠 ?产品可小型化、薄型化 ?加工工艺简单、结构简单、成本低 （3）应用 SnO2透明导电薄膜作为一种多功能的无机材料，不仅兼备低电阻，高的可见光透过率，还具有优良的膜强度和化学稳定性，近年来在功率加热，抗反射涂层，太阳能电池，液晶显示及光电器件等领域中得到了广泛的应